[技术讨论] 对半桥驱动VS和LO之间耐压的疑问,请兄弟们指点:

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 楼主| Wxy8030 发表于 2025-6-14 16:10 | 显示全部楼层 |阅读模式


见图,典型的半桥驱动芯片的应用,这里有个疑问:上MOS管导通时、VS为600V,而此时LO应该是对COM短路即0V,芯片为8脚贴片、LO和VS之间的焊盘间距最多也就0.7mm,这0.7mm的间距、要承受600V的高压、确定没问题 ?

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 楼主| Wxy8030 发表于 2025-6-16 12:37 | 显示全部楼层
有兄弟用过么,指点一下啊
 楼主| Wxy8030 发表于 2025-7-7 08:07 | 显示全部楼层
顶一下呢
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