三极管Ib大于Ic能够保证三极管饱和吗

发表于 2012-6-29 15:14

三极管当开关用，要求验证最恶劣环境下hFE,按一般手册VCE 6V,IC 1MA hFE一般为120--560
问题1：然而在饱和状态下，VCE非常小，此时hFE是否也是非常小？？会小于1吗？

问题2：看到一个电路B极电流200uA，C极电流4uA左右，此三极管饱和吗？？

问题3：是否无限加大基极电流能保证三极管工作在饱和状态？？？

发表于 2012-6-29 15:45

请懂的解释一下，在线等~~~··

发表于 2012-6-29 15:48

这问题，需要翻翻书，看看饱和状态是如何定义的

发表于 2012-6-29 17:07

饱和

发表于 2012-6-29 17:55

1.VCE非常小时，hFE确实是非常小，甚至小于1.但无法给出具体值
2.某电路，B极电流200uA，C极电流4uA左右。仅此条件，此三极管饱和与否还不好断定
3.无限加大基极电流，也不能确定保证“三极管工作在饱和状态”

登录 · 发表于 2012-6-29 17:56

1. 确定负载电流Ic的最大值
2. 在手册里找到Vce和Ic的曲线图，根据Ic确定深度饱和点对应的Ib值。
3. 有些手册没有曲线图，按下图方法确定Ib。

发表于 2012-6-29 19:47

问题1：然而在饱和状态下，VCE非常小，此时hFE是否也是非常小？？会小于1吗？
大电流时：hFE确实会下降，但是你在饱和时候定义hFE本来就有问题，请看一下模电书上饱和的定义就知道了。

问题2：看到一个电路B极电流200uA，C极电流4uA左右，此三极管饱和吗？？
会饱和的。

问题3：是否无限加大基极电流能保证三极管工作在饱和状态？？？
不能，因为三极管Ib有最大限制值，超过以后会烧滴，一般开关管定义的“深度饱和”，就是手册给出的Vce-sat值，是在Ic/Ib=10~20的情况下测的，需要深度饱和，可以驱动到这个样子。

顺便说一下，hFE越大的管子，相同条件下Vce-sat也越小。

发表于 2012-6-30 13:03

6楼画了一个三极管特性图，可惜没有加上负载线（即集电极上的那个负载电阻），有了负载线就知道饱和不饱和了。（画负载线，要2点，1点I=0，Uce=Vcc；另一点Uce=0，IC=Vcc/Rc）
那个‘看到一个电路B极电流200uA，C极电流4uA左右’你算算负载电阻多大？再假设负载Rc=0，三极管还能饱和吗？

发表于 2012-6-30 16:45

6楼画了一个三极管特性图，可惜没有加上负载线（即集电极上的那个负载电阻），有了负载线就知道饱和不饱和了。（画负载线，要2点，1点I=0，Uce=Vcc；另一点Uce=0，IC=Vcc/Rc）
那个‘看到一个电路B极电流200uA，C极 ...
沈老发表于 2012-6-30 13:03

您说的这种情况基本不可能存在，即“Rc=0，Ib=200uA，Ic = 4uA ”。

发表于 2012-6-30 18:58

补充：
三极管能不能饱和看负载线与三极管特性相交的那点在哪个区（饱和区，恒流区）。
如果没负载（Rc=0），那么负载线是过VCC的与Ic轴平行的直线，三极管将不会进入饱和区（除非Vcc很小）。

发表于 2012-7-1 10:22

11# 沈老
"如果没负载（Rc=0），那么负载线是过VCC的与Ic轴平行的直线，三极管将不会进入饱和区"，那么也就不会出现“B极电流200uA，C极电流4uA左右”，因为没饱和，所以应满足Ic = hfe * Ib。

发表于 2012-7-1 11:27

"那个‘看到一个电路B极电流200uA，C极电流4uA左右’你算算负载电阻多大？再假设负载Rc=0，三极管还能饱和吗？"
再假设负载Rc=0 三极管还能饱和吗，我可没说这时的Ic，(即你说的Ic = hfe * Ib)
我要强调的，饱和不饱和与Rc有极大关系。

发表于 2012-7-1 14:04

"那个‘看到一个电路B极电流200uA，C极电流4uA左右’你算算负载电阻多大？再假设负载Rc=0，三极管还能饱和吗？"
再假设负载Rc=0 三极管还能饱和吗，我可没说这时的Ic，(即你说的Ic = hfe * Ib)
我要强调的，饱和不 ...
沈老发表于 2012-7-1 11:27

人家这里已经明确说了“看到一个电路B极电流200uA，C极电流4uA左右”，所以你再假设Rc = 0是没有任何意义的。按照6楼的图完全可以判断是否饱和。

发表于 2012-7-1 15:02

其实“看到一个电路B极电流200uA，C极电流4uA左右”就是不正常的。可能这个三极管反接了（C，E对调）了。
还是这句话“我要强调的，饱和不饱和与Rc有极大关系。”
实际工作时Rc的选择很重要。

发表于 2012-7-1 15:57

NPN三极管饱和条件: 1. 集电结、发射结都正偏； 2. Ib > Vcc / (Rc * hfe).

发表于 2012-7-1 16:03

呵呵

发表于 2012-7-1 18:25

论坛中这类问题一直就有低级别的争论
我要告诉大家，“饱和”现象就像一个方程等式的两边
一边是由电路参数所确定的，例如Vcc-IcRc→0
另一边则是由晶体管特性所决定，例如曲线饱和曲，集电结正偏等
两边条件是同时满足的！
现在不正常的争论有两种情况：
1.过分精确强调条件等式，如“Ib > Vcc / (Rc * hfe)”等
2.争论双方各自站在等式两边相互对立

发表于 2012-7-2 10:08

1. 数据手册中没有负载线，得自己画
2. 数据手册中hfe是一个范围，随Ic和管子差异而变（温漂也有影响）
3. Ib = Vcc / (Rc * hfe)是放大区。Ib > Vcc / (Rc * hfe)是饱和区，但究竟Ib得大多少得看曲线图
4. 7L的办法是用Vce-sat值（Ic/Ib=10~20），即Ib = Vcc / (Rc * 20) >> Vcc / (Rc * hfe)。

发表于 2012-7-2 10:14

15# 沈老 “看到一个电路B极电流200uA，C极电流4uA左右” 是正常的。

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