DOPA111BMJ抗静电高精度低噪声高温双运算放大器
一．概述
该电路是由两只OPA111芯片及保护和调整元件组成的厚膜混合集成电路,主要电参数和性能优于单片OPA111BM。该电路有如下特点:
具有优异的抗静电能力,静电损伤阈值电压大于4000V,达到国军标Ⅲ级静电敏感度要求,是单片0PA111的四倍以上。
器件采用介质隔离工艺制作,寄生效应小，具有优异的抗辐射性能和耐高温特性。
增加了输入保护电路,改善了器件抗电浪涌性能。
两个运算放大器电参数的一致性更好。
低噪声性能,在f=10kHz条件下噪声电压最大8nV/√Hz 。
输入阻抗高,输入偏置电流小于1pA。
共模输入电压改变不影响输入偏置电流。
更低的输入失调电压VIO≤25uV。
低的温度漂移系数≤1uV/℃。
采用A型外壳封装,外型尺寸小于两个单片OPA111，管脚功能标准化。
该电路可应用于如下领域:
要求器件低噪声、高精度、高可靠、抗静电和高温环境工作的各类电子信号放大处理系统。
要求双路匹配放大的场合。
尤其适宜于应用在精密仪表、数据检测、光电信号检测、医疗设备中的CAT扫描、辐射检测设备等领域。
适用于国防、空间和工业领域要求微型化、微弱信号检测放大的场合。
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