L082的EEPROM模拟起来是不是比L0省事？

看文档好像多了个Flash双区切换，用起来确实轻松些。

写太频繁建议加RAM缓存再周期性落盘。

做数据保护的话得加CRC校验。

多个变量写入时注意同步，否则容易乱。

ST那个模拟库有时候掉电写不全。

低功耗唤醒时还能继续写入，挺不错。

我觉得确实省事，直接用ST的库就行。

L082的flash分区设计对模拟EEPROM挺友好。

写入速度比我预想的快点。

之前L051要自己写对齐，烦死了。

写多了会不会损耗flash？我有点顾虑。