MOSFET N管 电流切换开关

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 楼主| mingyuekd 发表于 2012-11-22 11:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
现有电机A+A-信号线,2A电流。想用MOSFET管做为开关,对信号线执行通和关断要求。用的mos管 意法STP75NF75片子。以下是附图。 此接法合理不。有更合理的推荐下。

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xwj 发表于 2012-11-22 11:47 | 显示全部楼层
唉~

自己去分析判断各点电压:控制端高时会怎么样,控制端低时会怎么样...
longkai 发表于 2012-11-22 12:40 | 显示全部楼层
怎么发帖呢 我只能回复呀
youimiss 发表于 2012-11-22 12:51 | 显示全部楼层
2# xwj
前辈您辛苦了!
Isara 发表于 2012-11-22 13:11 | 显示全部楼层
这种开关电路碰巧用过,提点建议:
1.三极管C极电阻1K就够了
2.三极管B极对VCC接一上拉电阻(低电平开通,所以接上拉电阻使其保持长断,特别是刚上电防止出现误操作)和0.1u电容滤波,电阻值可以调整,过小的话不能有效滤掉干扰,过大的话控制延迟就高。
 楼主| mingyuekd 发表于 2012-11-22 13:18 | 显示全部楼层
MOS管 G极高电平,管子DS极导通。低电平截止。我是这样分析的。不知道实际片子搭出电路是否这样效果。
理论MOS管是增强型。GS大于门限电压 逐渐增大的话。DS流过电流线性增加。 假设是这样的话。mos开关还改变了电流,就不能使用了。
Isara 发表于 2012-11-22 13:45 | 显示全部楼层
6# mingyuekd
MOS管是电压控制电流,你控制住Vgs,调好工作点,自然就直接控制住了Ids
xmar 发表于 2012-11-22 14:56 | 显示全部楼层
首先楼主的电路是错误的。需要修改为:10k电阻改为1k、PNP三极管改为NPN、连接三极管发射极的VCC改为地GND。即便是如此还要问题。
做上述修改后,电路关断电流没问题,主要是接通电流就有问题了,特别是接通2A的电流更是问题严重。如果NMOS管导通,必须 Vin > Vgs + Vout,假如Vgs=2.5V(好多NMOS管的Vgs比2.5V还要高),2A时,NMOS的功耗就有 2 * 2.5 = 5(W)。可见功耗、发热、浪费巨大。即使修改电路实际也不可用。电流从漏极D输出MOS管功耗才能做小。
Isara 发表于 2012-11-22 15:01 | 显示全部楼层
xmar 发表于 2012-11-22 15:11 | 显示全部楼层
这个才可以:

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 楼主| mingyuekd 发表于 2012-11-22 15:30 | 显示全部楼层
[img][/img]
 楼主| mingyuekd 发表于 2012-11-22 15:33 | 显示全部楼层
我对这个MOS管进行仿真了下。电阻R1 R2值100欧姆。输出端接了个电流表。发现电流起不来。

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 楼主| mingyuekd 发表于 2012-11-22 16:43 | 显示全部楼层
电路从先调整了下。有关断功能。 发现DS极压差太大,电流输出限制住了。

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gx_huang 发表于 2012-11-22 18:54 | 显示全部楼层
PMOS高端控制,NMOS低端控制。
另外,如果是电机负载,注意断开瞬间的反峰电压,最好加续流。
blessdxp 发表于 2012-11-24 09:35 | 显示全部楼层
mos是电压控制型器件没有必要把限流电阻加的那么大,大了开通的慢
blessdxp 发表于 2012-11-24 14:29 | 显示全部楼层
如果是做开关使用,直接使用ttl电平驱动一下就可以了,可以使用正负电源控制,开通使用+15v的10%左右,关断使用-8v的10%
blessdxp 发表于 2012-11-24 14:30 | 显示全部楼层
当然又增加Rg电阻
weilai_happy 发表于 2012-11-24 16:25 | 显示全部楼层
R3右边加一个10K下拉电阻和一个2.2U的电容,保证常断。
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