首先楼主的电路是错误的。需要修改为:10k电阻改为1k、PNP三极管改为NPN、连接三极管发射极的VCC改为地GND。即便是如此还要问题。
做上述修改后,电路关断电流没问题,主要是接通电流就有问题了,特别是接通2A的电流更是问题严重。如果NMOS管导通,必须 Vin > Vgs + Vout,假如Vgs=2.5V(好多NMOS管的Vgs比2.5V还要高),2A时,NMOS的功耗就有 2 * 2.5 = 5(W)。可见功耗、发热、浪费巨大。即使修改电路实际也不可用。电流从漏极D输出MOS管功耗才能做小。
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