LSI选择Cypress并行nvSRAM非易失性存储器

赛普拉斯半导体公司日前宣布，LSI在其用于高性能服务器、工作站和外部存储器的12Gb/s SAS主机总线适配器（HBA）中，选用了赛普拉斯的并行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）。nvSRAM为SAS HBA带来高速度、低电压、无故障的存储器，提升了LSI解决方案的性能。LSI选择并行nvSRAM的另一个原因是它可工作在不同的电压下，而且广受媒体好评。
LSI近期发布的LSI SAS 9300 HBA系列产品是业界首款用于高性能服务器、工作站和外部存储系统的12Gb/s SAS HBA解决方案。该系列的产品可加快存储速度，专为诸如交易数据库、Web 2.0、数据挖掘、视频流媒体及编辑等场合的高性能应用而设计。

赛普拉斯并行nvSRAM的存取时间可快至25ns， 是市场上最快的异步非易失性RAM。nvSRAM还具有无限次读写和恢复和20年的数据保存能力，对于需要连续高速数据写入和绝对非易失性数据安全且无需备用电池的应用，这一产品是非常理想的选择。

LSI高级市场总监Robin Wagner说：“随着数据中心对存储量管理要求的不断提升，对12Gb/s SAS的需求随之增长。我们曾成功地运用过广受媒体赞誉的nvSRAM，完全能满足我们LSI 9300系列产品的严苛要求。并行nvSRAM的灵活性能够接受3V以下的工作电压，从而简化了产品设计流程，加速我们产品的上市进程。”

赛普拉斯非易失性产品事业部高级总监Rainer Hoehler说：“我们很高兴存储界的领先者LSI采用我们的并行nvSRAM产品。这一产品应用于业界首款12Gb/s解决方案，充分证明了其不同凡响的速度和可靠性。”

并行nvSRAM系列产品有从256kb到8Mb的多种配置可供选择，并可工作在工业温度范围内，拥有业界标准的封装方式，如32-SOIC, 44-TSOPII, 48-SSOP, 48-FBGA 及 54-TSOPII等。

CY的应用会越来越广的…………

对于需要连续高速数据写入和绝对非易失性数据安全且无需备用电池的应用，这一产品是非常理想的选择