ARM在Sdram中调试和烧写flash中有什么区别？

我的44b0的ucos移值代码在SDRAM调试运行正常，但将程序烧写到flash中就运行一会就死机了，能正常进行两三次任务调度后就死机。<br />注：Ro,Rw已修改设置，同样的设置的另一个程序烧写到flash能正常运行，两个程序启动部分代码一样。程序初始化sdram,flash外围器件部分相同。

原来是在汇编程序用DCD定义的的一个临时变量分配在flash中不能改写，在sdram中可以改写。<br />顺便问一个，用DCD分配的变量是不是都在Ro段中?<br />还有在汇编中用GBLA定义的变量，能不能在汇编中将寄存器的值送该变量?