[STM32L0] 用L0跑EEPROM模拟写入,写几次就卡死了

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flycamelaaa 发表于 2025-5-21 19:30 | 显示全部楼层
检查地址是否有对齐。
sdlls 发表于 2025-5-21 19:33 | 显示全部楼层
如果只进行了编程而没有擦除,或者擦除和编程的顺序错误,都可能导致写入失败。
nomomy 发表于 2025-5-21 20:07 | 显示全部楼层
将模拟EEPROM的存储区域放置在独立的Flash扇区(如.eeprom段),避免与代码存储区重叠。
powerantone 发表于 2025-5-21 20:30 | 显示全部楼层
在写入EEPROM后,立即读取并校验写入的数据是否正确。若校验失败,可尝试重新写入或进行错误处理。
wangdezhi 发表于 2025-5-21 20:56 | 显示全部楼层
正确地执行Flash的擦除和编程操作
olivem55arlowe 发表于 2025-5-21 21:40 | 显示全部楼层
STM32的Flash写入必须按字(Word,4字节)对齐,且写入前需确保Flash无正在进行的操作(如擦除或写入)。若未正确等待操作完成(如通过FLASH->SR标志位检查),可能导致数据错误或Flash状态异常。
onlycook 发表于 2025-5-21 22:00 | 显示全部楼层
检查硬件连接和电源稳定性。
i1mcu 发表于 2025-5-21 22:16 | 显示全部楼层
如果有中断发生并尝试访问相同的Flash区域,可能会引起冲突,导致系统不稳定。
uytyu 发表于 2025-5-21 22:59 | 显示全部楼层
在进行Flash操作时,如果没有正确处理中断和异常,可能会导致程序卡死。
fengm 发表于 2025-5-23 09:55 | 显示全部楼层
单独测试Flash擦除和写入功能,确认基础操作无误后再集成到EEPROM模拟逻辑中。
ingramward 发表于 2025-5-23 10:40 | 显示全部楼层
在Flash空闲区域填充固定值(如0xFF),防止未初始化数据被误读。
i1mcu 发表于 2025-5-23 11:48 | 显示全部楼层
避免使用 Bootloader 或程序代码所在页,建议使用用户 Flash 末尾区域。
zerorobert 发表于 2025-5-23 12:09 | 显示全部楼层
为EEPROM写入操作添加超时机制,避免无限等待。
sesefadou 发表于 2025-5-23 12:33 | 显示全部楼层
在写入Flash之前,通常需要先擦除对应的扇区或页面。如果未正确擦除或擦除不完全,可能导致写入失败或数据错误。
mikewalpole 发表于 2025-5-23 12:54 | 显示全部楼层
在多扇区间轮换存储位置,避免长期重复擦写同一扇区。
wilhelmina2 发表于 2025-5-23 13:17 | 显示全部楼层
在STM32中,对Flash进行写入或擦除操作之前,必须先解锁Flash。如果忘记解锁,写入操作将不会生效,可能导致程序卡死
sanfuzi 发表于 2025-5-23 13:55 | 显示全部楼层
STM32的Flash擦除是按扇区(Sector)进行的,若模拟EEPROM的存储区域与代码存储区(如.text段)位于同一扇区,擦除操作会清除整个扇区的内容,包括正在执行的代码,导致程序计数器(PC)指向无效地址,系统卡死。
gygp 发表于 2025-5-23 15:01 | 显示全部楼层
在Flash操作期间临时关闭全局中断(如__disable_irq()),操作完成后恢复。
hilahope 发表于 2025-5-23 16:00 | 显示全部楼层
模拟EEPROM时,若写入地址未正确计算或超出预设存储范围,可能导致数据覆盖关键区域
mnynt121 发表于 2025-5-23 16:22 | 显示全部楼层
Flash的擦写次数有限(通常约1万次),但几次写入后卡死更可能与操作错误而非寿命相关。
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