读写FLASH（CW10.6+FRDM-KL02Z+MiniDock）

在MCU开发过程中，经常希望存储一些数据，能够掉电后还能保留，通常可以使用EEPROM来存储，当然，另一种低成本的做法是使用MCU的FLASH存储器来存储非易失的数据！
今天就给大家分享一下FRDM-KL02Z的FLASH数据的读写操作！

开发环境仍就是：CW10.6+PE+FRDM-KL02Z+MiniDock
完成测试的效果是：MCU上电后，首先读取0x4000的字节数据，然后把数据通过串口输出，之后将数据加1后再存入0x4000单元，由于FLASH有非易失特性，因此，每次复位或上电后，存储器的数据都会比上1次加1。

1、新建flash_test工程如图。

2、选择intflash和consoleio模块
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2015-12-3 23:28 上传

如下图所示

3、intflash配置如图
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2015-12-3 23:28 上传

点开intflashldd1模块，可以看到flash的更详细配置

选择使能flash的操作函数，在这里使用
erasesector——擦除扇区函数
setbyteflash——写字节函数
getbyteflash——读字节函数

4、配置串口调试模块

注意要修改串口引脚，这里默认的和FRDM-KL02Z的不一样！

5、生成工程代码

6、在主函数中添加写字节地址定义

7、主函数中添加如下代码
首先输出提示信息
然后读0x4000地址的数据
串口输出数据
数据增1
擦除扇区
写字节数据到0x4000地址

8、编译运行程序，在串口输出如下信息，可以看出，每次MCU重新启动运行时，数据都会自动加1，符合我们的测试目的！

9、在调试界面也可以查看存储单元的值，在下图位置添加单元地址

输入地址0X4000

可以看到0x4000位置数据

注意，在这里选择地址时需要看看此地址是否有程序存放


以上便是flash的读写过程，欢迎大家交流！！！