GD32F190使用一段时间后出现外部晶体不振

在使用GD32F190芯片做样品开发时候，遇到问题，就是外接8M
晶体工作一段时间后不起振，更换晶体和负载电容均不行，只能更换芯片，或者修改程序改为内部RC震荡，已经连续遇到4台，均为工作几十小时之后出现，请帮忙分析一下问题。
驱动也是使用兆易公司的库，而且将外部晶体稳定时间加长为10ms以上再做倍频都无效。


         

后来重现编程时候发现，使用3V电源的时候，外部晶体起振，但是恢复为5V时候，仍然不起振，自动退回内部RC  8M频率，所以现象就为工作速度慢9倍。做了20个样品，出货后连续出现3台，自己测试一台工作24小时也出现类似情况。

我有个朋友说，小批量测试，gd的通不过，一塌糊涂，最后还是保持原来方案用stm。本来是想省一点成本换gd的，一测试，不能换，要稳定 还是得stm

我也是一直担心这个，不过用了GD32F150感觉还不错，看到190出来了就更换这个。结果。。。。。。。而且技术支持很难找，打电话转接后没人听。

做技术的多少有点爱国情怀在里面，觉得相差不大，愿意支持一下国产（我们做工控类的，芯片价格根本不是很在意），但是GD的技术支持太高高在上了，很难找，有问题不怕，希望能够响应一下，改进就好。

纯技术层面：
1. 先确认一下晶振的型号，及负载电容要求，然后调整晶振电容到合适的值。
用频率计确认一下晶振的频率，可以通过MCO来输出HSE。
应该在10ppm左右，电容不对会偏得比较大，工作也不稳定。

2. 在程序中判断一下失败原因，然后自动切为内部RC，尽量保证基本功能。
频率偏一点，总比完全不能用要强。这同样适用于任何芯片。

3. 一般芯片都有时钟安全监控系统，当晶振停振后，自动切到RC。
看看有没这个功能，并测试并用好他。

4. 工作状态确实和工作电压有关，既然是工控产品，不建议工作时电压变动。

晶体换过几种了，驱动检查过，电压本身是5v，只是编程时候JLINK是3v偶然发现功能正常才发现3V有起振，而且这些样品调试时候都正常的，都是工作几十个小时之后不震荡，看按键反应速度慢了9倍，查资料才确定是外部晶体不振自动转回内部，也查了驱动，把外部晶体起振等待时间改长，而且多启动几次，都无效。

查了一下采购单是去年11月份购买的30个GD32F190样品。

目前看只能先改为使用内部RC。

负载电容从10p-39p都换过，只要是出现不起振，所有外围电路全更换都没有用，换一个新的芯片就可以。

弱弱问一下，这个外部晶振是高频晶振还是低频的32KHz的晶振？

一把只要高频的晶振OK，主程序运行是没有多大问题的

32KHz的晶振主要是给RTC用的

是8M的外置主晶体，考虑使用外部晶体也是因为外部晶体振荡信号比较大，做EMC测试不容易被干扰。目前感觉样片晶体振荡部分用不好，直接改回使用内部RC了。

没试试10P以下的电容？

10p以下的没有试验，资料给的是20-20P，且要加200K的反馈电阻，都加了，没有用。觉得是芯片问题，因为出问题的都是开始使用的时候都振荡，老化40小时左右就不震荡，使用内部RC就能一直正常，到现在老化4天了。

之前用的GD32F150没问题，都正常，不知道是否是样品设计有缺陷，使用的是去年11月份买的样品，等了很久才买到，估计是小批量测试样品。

这个估计是硬件设计上的匹配问题的

单纯的更换MCU的也不是啥好的解决办法的。

gd32f103也遇到类似问题，后来内部放大器输出端串了个4.7欧姆小电阻好了，视乎是驱动太猛了  把晶体振烂了