请教一个MOSFET的问题

MOSFET中的VDS是指FET导通时在D端和S端产生的压降，还是指外加的电源值最大值？用5V方波控制35V直流电源，DATASHEET上说MOSFET的VDS是20V，能用不？本人才疏学浅，还望多多指教。

<br /><font color=#FF0000>Mosfet参数含义说明</font><br /><br /><font color=#008040>Features:</font><br />Vds：DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压.一般此电压有一定的余量.<br />Rds(on)：DS的导致电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻.<br />Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低.<br /><br /><font color=#008040>Absolute&nbsp;Maximum&nbsp;Ratings：<br /></font>Vds:见Features.<br />Vgs:最大GS电压.一般为：-20V~+20V<br />Id:见Features.<br />Idm:最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系.<br />Pd:最大耗散功率.<br />Tj:最大工作结温.通常为150度和175度.<br />Tstg:最大存储温度.<br />Iar:雪崩电流.<br />Ear:重复雪崩击穿能量.<br />Eas:单次脉冲雪崩击穿能量.<br /><br /><font color=#008040>Electrical&nbsp;Characteristics:</font><br />BVdss：DS击穿电压.<br />Idss:饱和DS电流.uA级的电流.<br />Rds(on):见Features.<br />Igss:GS驱动电流.nA级的电流.<br />gfs:跨导.<br />Qg:G总充电电量.<br />Qgs:GS充电电量.&nbsp;<br />Qgd:GD充电电量.Miller&nbsp;Effect.<br />Td(on):导通延迟时间.从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间.Tr:上升时间。输出电<br />压&nbsp;VDS&nbsp;从&nbsp;90%&nbsp;下降到其幅值&nbsp;10%&nbsp;的时间。&nbsp;<br />Td(off):关断延迟时间。输入电压下降到&nbsp;90%&nbsp;开始到&nbsp;VDS&nbsp;上升到其关断电压时&nbsp;10%&nbsp;的时间。&nbsp;<br />Tf:下降时间。输出电压&nbsp;VDS&nbsp;从&nbsp;10%&nbsp;上升到其幅值&nbsp;90%&nbsp;的时间&nbsp;(&nbsp;参考图&nbsp;4)&nbsp;。&nbsp;<br />Ciss:输入电容.Ciss=Cgd&nbsp;+&nbsp;Cgs.<br />Coss:输出电容.Coss=Cds&nbsp;+Cgd.&nbsp;<br />Crss:反向传输电容.Crss=Cgc.&nbsp;<br />

MOS关闭时。VDS就是35V。

非常感谢二位的讲解。我还想问一下，如果用MOSFET控制35V电源，使用N沟道时+35必须接在D端吗？使用P沟道+35V必须接在S端吗？这两种接法的驱动有什么要注意的吗？