stm32H743读内部flash问题

本来我写的一对读写flash的函数用的好好的，但是今天下午突然出现读flash的时候程序就会进入HardFault的问题。
我代码十分简单

就是我将3个32位的值放在H7的存储区2的第7扇区。一开始是可以用的，但是我让程序自己运行了一个中午，下午来的时候就不用了。
后来我将调试器设置成擦除整个芯片，重新下载一次，又正常了。而且重新选会仅擦除扇区，问题也不会出现了。
我没有什么经验，想询问一下这个问题是什么原因造成的呢？
我在排查问题的时候也查了选项字节，RDP一直是0xAA。不存在读保护的问题。

另外请教一下，能不能申请一个固定地址的常量呢？
我了解到STM32将（或许是Keil5的编译行为？）常量放在Flash里，那么我能不能通过修改启动文件或者map文件，申请一个固定地址的常量呢？这样我就不用把希望保存的值放在一个“相对”安全的位置了。

确定仅仅是这块出的问题？

仿真调试的时候，因为其它原因进入硬件错误有可能的；
程序烧进去，通过printf或其它方法打印出来看看

千樱硕 发表于 2020-5-21 15:32
另外请教一下，能不能申请一个固定地址的常量呢？
我了解到STM32将（或许是Keil5的编译行为？）常量放在Fla ...

可以用关键字__attribute__((at()))把常量放在指定的地址

这个必须放一个指定位置？

你的这个flash区域是在被反复的高速读取吗？是否导致了“read disturb”现象。就是过度的读Flash导致Flash数据异常（消失或变化）。
我在STM32F4中发现另一个器官的现象。
我用STM32F407VGT6 作为数字控制电源的处理器。将ADC转换系数存在Flash中。例如：VolCoeff1 = ( *(s32*)VOL1_COEFF_ADDR），VOL1_COEFF_ADDR为Flash地址。则真实的电压为
the real voltage=VolCoeff1 * ADC digital value

在TIM2定时器中断（15kHz，66.7us）中读取系数，用于真实电压/电流的换算。因为有十几个ADC转换系数，因此每小时读Flash的次数超过7亿次。
后来发现存在用户Flash区域中的ADC转换系数有的变为0（转换的真实采样值变为0，并且在Keil 内存Watch窗口可以看到），
并且，有的系数在对过程中是不断变化的，这个在Keil 内存Watch窗口中也可以观察到（写flash的指令都被屏蔽了）。重新刷写相应的Flash数据扇区后系数都能恢复正常。

上述现象与文献所说的read disturb比较吻合。但我现在也不能完全确定。

内核在程序存储区取指令应该也是一种“读”操作吧，这也访问用户自定义的Flash数据区有什么区别吗？

希望有大神能给于解释，不甚感激！！！