关于HC32F460的FLASH空间数据读写操作的几个疑问

对于HC32F460的FLASH空间，我想用来存储一些参数，可是看了下官方的手册，有以下疑问得不到解答，特来请教各位：
1，HC32F460的擦除操作每次起码是8Kbytes,这让我只想修改其中一两个字节的数据时怎么操作？我不能为了改一两个字节而把整个8K字节的数据全擦除了啊！
2，官方有提供FLASH窗口保护起始和结束寄存器，但是语焉不详。我就想问，是否可以利用这两个寄存器实现对最小编程单位（4字节）的单独擦除编程呢？
请各位大侠指点！

华大的手册文档感觉还需要更完善，实在是看不明白

Flash的特性多了解下.   只能写0,不能写1.  已经是0了, 不能通过写1来改写.  所以 要写入, 除非原来的字节是0XFF,否则, 就读取8K保存到Ram,然后改写.然后擦除Flash,然后写入8K.   

Flash不是E2，擦除只能按最小的页大小擦，F460编程的是按字WORD编程的。

martinhu 发表于 2021-7-5 08:52
Flash不是E2，擦除只能按最小的页大小擦，F460编程的是按字WORD编程的。

这样的话，想用FLASH做快速参数读取存储就没有任何意义了，动辄8K的数据转移太费劲了。那岂不是还不如外挂个存储芯片？