Flash 的持久期

发表于 2021-9-8 23:58

MA86E/L508 规格书上写到内置 Flash 的持久期是100写周期，我对同一地址进行IAP读写测试的时候发现超一万次了数据还可以进行擦写。

发表于 2021-9-9 08:18

flash寿命一般是10万次，当然这个是留有余量的

发表于 2021-9-9 22:13

你怎么测的啊

发表于 2021-9-9 22:16

用串口软件每隔50ms对单片机发送一次写读命令。

发表于 2021-9-9 22:18

是芯片的资料有所保留还是我的测试办法有问题?

发表于 2021-9-9 22:20

芯片可重複寫入次數的測試是屬於破壞性測試，有一定的測試方式

发表于 2021-9-9 22:22

規格書上的寫入次數是出廠新品的芯片可以寫入的保證次數

发表于 2021-9-9 22:25

嗯，使用超過保證的寫入次數，不代表每個芯片每個批次都是如此

发表于 2021-9-9 22:46

是的，使用超過寫入次數，用戶只能自行控管芯片Flash資料的可靠度，芯片廠家不擔保。

发表于 2021-9-9 22:48

我实测过89/ MA805系列的读写，都有10万次以上，但笙泉规格书都只有2万次

发表于 2021-9-9 22:50

笙泉很保守，2万次是台积电（TSMC）保证的

发表于 2021-9-9 22:52

规格书上写的次数是保守的保证次数，实际测试的个体有可能会永远大于这个值。

发表于 2021-9-9 22:54

嗯，懂了，呵呵

发表于 2021-9-22 14:20

4M-128M nor Flash,领导们欢迎骚扰

发表于 2021-9-23 21:31

这个是有严格测试标准的，电源高低和温度范围都有影响，你在常温和标称电压下读写次数会远超标称次数的，而且你只读写了少量字节，不能代表整体的寿命。记得二十年前测试E2POM寿命时，把5V的器件加压到接近6V温度60度，标称100万次的器件一般从200万次左右开始出现坏位，等所有位都坏至少要到600万次左右，注意我只测试了16字节，如果全片测试肯定有更坚强的位出现。
不要问我为什么这样测试，懂的人自然懂。

发表于 2021-9-23 21:38

2zwm 发表于 2021-9-22 14:20
4M-128M nor Flash,领导们欢迎骚扰

骚扰一下，有8个IO的吗？

发表于 2021-10-5 18:51

flash的寿命主要是指擦写次数

发表于 2021-10-7 09:25

flash寿命主要受擦写次数影响，数据本身存储在flash里面不丢失的时间是很长的。

@NJZR · 发表于 2021-10-9 17:03

NJZR 发表于 2021-9-23 21:38
骚扰一下，有8个IO的吗？

领导，没有8IO的。最多只有4个IO的。

发表于 2021-10-19 09:41

2万次左右，就坏掉了，亲自测试过，就对一个地址读写读写然后计数。

Flash 的持久期

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