STM32F103C8内部FLASH模拟EEPORM操作死机问题

在调试STM32F103C8内部FLASH当EEPORM使用时，一直没调通，求助友们；调了好几天没调通，读取指定位置没有问题，但是尝试写入时就会死机，就是程序执行FLASH_ProgramHalfWord(）这句时就会死机。求大家相助，谢谢，
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
        u16 i;
        for(i=0;i<NumToWrite;i++)
        {
                FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);
                WriteAddr+=2;//地址增加2
        }
｝

我把函简化成下面，就是会死机，万分求助
void FLASHINIT_FLASH(void)
{
FLASH_Unlock();//解锁
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
FLASH_ErasePage(0x08002a50);//要擦出页的起始地址
FLASH_ProgramWord(0x08002a50,０x1234);//写数据
//是一个字即四个字节
FLASH_Lock();//锁定
}

原子的有现成的，用原子的好了

网上找了好多例程，没发现程序出错在哪里

FLASH_ErasePage(0x08002a50);
你先确认这个是否又问题

你擦除的地址要遵循page大小对齐。你的编程函数用库函数的应该没啥问题，如果自己写的
注意F1系列支持半字编程。

各个页的地址可以在参考手册的Memory map的Flash module organization查看到。

以前调试别的芯片，遵循2个原则
1要关闭中断
2在RAM中运行
不知道有没有帮助

PAGE 要看手册，一般8k/16k/32k 都有可能，一般写块的首地址

对啊，执行擦除函数也一样会死机，但我发现执行写入函数，我打开函数库里面看过，发现只要执行函数库里面这一句（*(__IO uint16_t*)baseaddr =0x3456;//在指定的地址写入要编程的半字）；就会死机，我只要把函数库里面这一句删掉就不会死机。
下面是我用寄存器方式编程也一样会死机：

                FLASH->KEYR = 0x45670123;  //解锁 打开FPEC模块
                    FLASH->KEYR = 0xCDEF89AB;
                    FLASH->CR|=1;//设置FLASH_CR寄存器的PG位为’1’；编程操作
                *(__IO uint16_t*)baseaddr =0x3456;//在指定的地址写入要编程的半字；执行这一句时就死机，重新上电也一样现象
        FLASH->CR |= 0x00000080;//上锁

页地址都试过，所写入的地址和页里面可以完确认没有正常程序的，不存在说把正常使用程序给覆盖了

不论标准库还是Cube库里面都有可以参考的。

关于flash的编写流程，手册写得清楚，将它结合例程代码看下。整个操作不难，细心点。

● Check that no main Flash memory operation is ongoing by checking the BSY bit in the
FLASH_SR register.
● Set the PG bit in the FLASH_CR register.
● Perform the data write (half-word) at the desired address.
● Wait for the BSY bit to be reset.
● Read the programmed value and verify.

每次都会这样吗

说明写不进去 啊

嗯，我再好好缕一缕吧，有了好消息及时通知大家

这个应该跟定义的数据结构有关，数据的地址必须是对齐的，可以尝试增加一个u8变量或者删除一个u8变量。我碰到的问题是这样解决的。