请问为什么LDO都是用PMOS而不用NMOS吗

请问有人知道，为什么LDO都是用PMOS而不用NMOS吗随便在网上找个图片，期望大家不用介意啊

个人认为要结合下面的NMOS管一起分析。                     

因为你的是正电源LDO。如果换NMOS根本就无法导通。

NMOS，栅极电压比源极高VGSTH（一般在0.5V以上，比如1.2V）以上才可以导通。
同样道理，NPN，基极电压要比发射机高0.7V左右才可以导通。
这个栅极基极的驱动电压比较高，要求VIN比VOUT高很多才可以。
所以，凡是要求饱和压降小的LDO，都是PMOS/PNP结构。

控制VOUT 当然要PMOS啊
又不是控制GND

小功率时，省电。主要是降低IQ。
大电流输出的LDO，RF 性能有要求的， 就会改用NMOSFET输出。

如TPS7A54 4-A output；

因为是LDO，low dropout regulator。
用NMOS的话，Dropout就不做不到Low了。

N管,G极至少要比输出高出0.5V以上才开始导通.那么意味着最高输入输出压差至少要到0.5V以上.这还叫LDO吗?

xch 发表于 2022-5-30 08:58
小功率时，省电。主要是降低IQ。
大电流输出的LDO，RF 性能有要求的， 就会改用NMOSFET输出。

虽然里面的charge pump功率不大，但是PMOS是不需要的。NMOS比PMOS的好处确实是N衬底好散热。但是PMOS少了图中的这个charge pump，复杂度会降低不少。

xch 发表于 2022-5-30 08:58
小功率时，省电。主要是降低IQ。
大电流输出的LDO，RF 性能有要求的， 就会改用NMOSFET输出。

不好意思啊，请问为什么NMOS的LDO可以降低IQ啊？

王栋春 发表于 2022-5-29 22:31
个人认为要结合下面的NMOS管一起分析。

这个怎么分析啊？

William1994 发表于 2022-5-30 13:37
虽然里面的charge pump功率不大，但是PMOS是不需要的。NMOS比PMOS的好处确实是N衬底好散热。但是PMOS少了 ...

主要是因为这个charge pump的原因吗？
那NMOS ldo的优势是什么啊？

pmos驱动比较方便，nmos驱动需要举升电压

因为NMOS的G电压要比S高，而LDO是低压差，提供不了那么高的电压，所以不方便。如果有5V的压差，则没有问题，但是这又不是LDO了。
而开关型DCDC，由于有自举，而同等规格下NMOS又比PMOS内阻低，所以用NMOS的就多了。

看情况，这本ldo设计的书上解释的明白。假如你的pass mos管上的gate上的波纹也就是图中voe做不干净（波浪线）,那么用最右边的结构pmos让两个波纹差不多的话，输出干扰可以抵消得到平直的VO。就和差分抑制干扰一样。你要用跟随器那么你的gate上接收的电压信号要求比较干净的voe输出vo才能比较干净，电路比较复杂要增加psrr提升的架构，使得voe波纹干净，就和第二图一样，不然会成为第一图 vo也不干净。

radarbro 发表于 2022-5-31 20:05
看情况，这本ldo设计的书上解释的明白。假如你的pass mos管上的gate上的波纹也就是图中voe做不干净（波浪 ...

请问大神，这个是什么书啊，帮忙给个书名啊

radarbro 发表于 2022-5-31 20:05
看情况，这本ldo设计的书上解释的明白。假如你的pass mos管上的gate上的波纹也就是图中voe做不干净（波浪 ...

同样请问这是哪个资料。