STM8S的EEPROM块操作成功了吗，神一般的COSMIC。

从现有资料上和常识上来看，完成STM8S的EEPROM操作应该是不困难的，何况ST还提供的一些范例和外设操作的库。但是实际了解的情况是，多数人还是愿意使用字节写、字写，好像使用块操作的很少，好像很少吧。
各位尝试使用块操作的伙计们，也许使用标准写还比较容易成功吧，但是进行块擦写似乎不是那么容易成功，遍历网上遇到此类问题的同志们，似乎没有几个结案的，是真的无法解决，还是解决了就没有下文了？不能再这个样子了！咱们还是放一个方案吧。
我很怀疑这些问题真的是没有结案，还是我理解错了。SO，在公布我的答案之前，先卖个关子，我很有兴趣调查一下大家有多少已经结案了，有多少尚未结案？大家都来说说。

块操作可能实际情况用到的比较少，因为都是部分更新内容。我的字编程都没成功。
块编程需要部分代码在RAM中运行，设置起来也比较麻烦吧。

块操作的优势就是单位字节保存耗时最少，然而我发现用这种方法的并不多。
字节编程和字编程操作起来都还好吧，但是字块的编程和擦除也有些地雷，可能有些时候能遇到，也许遇不到。

我试过了，一写就死，据说要放到RAM运行，搞不懂放弃了

我试过了，一写就死，据说要放到RAM运行，搞不懂放弃了

是啊！块写就立马死，有没有高手搞定了呀！FLASH编程必须用块编程呀！

他妈的ST,傲慢要死，块到现在都没有给出答案。

本来就是这样,私下估计块操作写的时候占用了FLASH总线;所以必须放在RAM里执行;
编译器已经考虑到这个事情了,所以提供了一些简单的处理方案;

就是写操作的函数声明一下要在RAM里运行;然后你自己搬过去再调用即可;

我试过块写入并不困难,128字节;事后查看结果正确;
但开始写入及写入后程序在RAM里运行,调试时看不清楚它在干什么;然后就一直看不清楚,直到你失去耐心;
难道任务完成后的标志位一直没有出现吗?我再试试看;

找些例程来看看吧,手头正好有风驰的开发板资料,于是满怀希望......
先看目录,果然有关的说明,继续找PDF文档,——结果没有这部分的内容;
再看例程代码部分,——还是没有这一段的；但目录中说有的；
结论：风驰估计这一部分的代码也踩着地雷了。反正是被枪毙掉了，没公开。

IN_RAM(void FLASH_Erase(void))
{
  U32 start_add= 0;
  U32 PointerAttr  *pwFlash;
  start_add=0x001000;//起始地址加上偏移量
  pwFlash = (PointerAttr U32 *)(U16)start_add;

    FLASH->CR2 =0X20;
   // FLASH->NCR2 &= (U8)(~FLASH_NCR2_NERASE);
  
    *pwFlash = (U32)0;
}

给力

从现有资料上和常识上来看，完成STM8S的EEPROM操作应该是不困难的;
经过我测试,是这样的.唯一要注意的是覆盖法有时不灵(概率约2%),最好的办法是擦干净再写;

STM8S的EEPROM块操作成功了吗，终于成功了!
请楼主参考此贴;

1、flash里运行，肯定是没法写入的。
2、工艺要求，只能块擦，所以当然要整块更新了，又不是真正的eeprom。
3、仔细看资料，多站在您就是芯片设计、制造者的角度看，就明白了。

不用库块编程很随意，但是一用库去写就挂，有没得用库块编程成功的哥们，上个码看看，ST的库还是值得一看的，为什么么的人研究呢？求个块编程的库例程

已经确定，编译器的问题。也怪stm8s设计得变态，只能写零，不能清零，看一下反汇编就知道了。

一直没搞定块编程，等有空了再试一下

不懂！！太深奥了！！

若按字节写的话，写EEPROM每个字节耗时约6ms。块操作的方式将一个基本页（64字节）写入的理论时间也是6ms。但是在操作过程中也出现了写死机的情况。

复制

int16 EepRomWrite(void *pWriteData, uint16 nWriteLen, SaveType nType)

{

        uint8 i;

        uint8 *p;



        if (pWriteData==NULL || nWriteLen==0 || nWriteLen>=EEPROM_SIZE)

        {

                return -1;

        }

        SetGpioLevel(PA,1,0);        

        if (EepRomUnLock() == 0)

        {

                //UART1_SendStr("eeprom fail unlock", 19);

                return -1;

        }

        

        // 以下两行代码导致死机

        FLASH_CR2 |=0x01;

        FLASH_NCR2 &= ~(0x01);





        SetGpioLevel(PA,1,1);

        p = (uint8 *)(EEPROM_STARTADDR+nType*64);

        for(i=0; i<nWriteLen+(EEPROM_BLOCK_SIZE-nWriteLen%EEPROM_BLOCK_SIZE); i++, p++)  // !!!!!

        {

                *p = ((uint8 *)pWriteData)[i];

                if (i>=nWriteLen)

                {

                        *p = 0x00;

                }



                if ((i+1)%EEPROM_BLOCK_SIZE == 0)

                {

                        SetGpioLevel(PA,1,0);

                        while((FLASH_IAPSR & 0x40) ==0);

                        SetGpioLevel(PA,1,1);

                        while((FLASH_IAPSR & 0x04) ==1);

                        SetGpioLevel(PA,1,0);

                }

        }



        FLASH_CR2 &= ~(0x01);

        EepRomLock();

        SetGpioLevel(PA,1,1);

        return 0;

}