IGBT能替换MOS管

反激开关电源的MOS管能不能用高电流高耐压的IGBT替代？如果不能，主要的原因又是什么？

贵啊，体积太大啊

cctv19881023 发表于 2024-10-2 09:36
贵啊，体积太大啊

有些同行表示IGBT的响应速度较慢，达不到高速要求，也不知有没有依据？

IGBT就是MOS与三极管结合体，MOS的输入特性，三极管输出特性，优点是更容易高压大功率化，缺点是速度远不如MOS。

六方晶碳 发表于 2024-10-2 14:11
IGBT就是MOS与三极管结合体，MOS的输入特性，三极管输出特性，优点是更容易高压大功率化，缺点是速度远不如 ...

这个速度主要指的是导通还是关断？谢谢。

王栋春 发表于 2024-10-2 15:06
这个速度主要指的是导通还是关断？谢谢。

MOS可以轻松做到几百K，而IGBT，常规的频率只有20K，现在新出的IGBT最高也只能到60K，好像是这样值，具体的可以去英飞菱的官网看看。

王栋春 发表于 2024-10-2 10:07
有些同行表示IGBT的响应速度较慢，达不到高速要求，也不知有没有依据？

频率快和电流大，这两者天然存在矛盾，只能在里面协调

linxi6414 发表于 2024-10-3 01:06
MOS可以轻松做到几百K，而IGBT，常规的频率只有20K，现在新出的IGBT最高也只能到60K，好像是这样值，具体 ...

好的，看来两者的频率还是有很大差距的，不过做为功率器件IGBT较为常用。