NMOS过流保护

如图，想设计一个过流保护电路，R12是检测电阻，检测电阻*电流产生的电压大于NPN管be两端的电压，导通以后拉低MOS的栅极电压从而关断MOS管，但是实际仿真断开连接MOS栅极那条线，NPN显示导通了，但是连接上以后MOS的栅极电压是3.6V，MOS管仍然导通，这个3.6V的电压是怎么产生的，NPN导通以后应该直接接地了，为什么还有3.6V的电压，去掉了C6、C7、R10、R11仍然是这种现象，想问一下这种是什么情况
后面改成这样，仿真出来M1栅极还是有电压，M1无法关断，这种是怎么回事，就像通过三极管导通拉低NMOS的栅极电压但是老是无法拉低，无法关断，求指点

上图

这个是按照上面描述的图，分别是图1、图2、图3

bbnmnc 发表于 2025-1-15 10:02
这个是按照上面描述的图，分别是图1、图2、图3

上传完要点一下图片插入进来才行

bbnmnc 发表于 2025-1-15 11:03

以上图片，图1和图2区别就是NPN一个连接了NMOS栅极，一个没有连接，一旦连接上栅极总是有3.6V的电压，问了领导说是NPN的BE端有电压，无法把栅极电压拉低，图3是更改后，栅极还是有电压，这种是什么问题，求大神指点一下

图1，你想一下，电流大了会让三极管导通，三极管导通让MOS管关断，MOS关断让电流变小，电流变小让三极管关断，是个负反馈过程，而且不只是“导通”与“关断”，会有中间的过程，最终要么不断的通断形成振荡，要么达到平衡稳定在一个值变成恒流源。
图3的Q1、Q2你看像不像可控硅，导通后是不是会让电源短路？或让三极管炸掉？三极管基极要不要加限流电阻？
只能说，幸好只是仿真。

R11是1K，三极管导通后1K并联39K接地，再和20K分压，这个肯定拉不低啊另外话说楼主画图能不能整齐一点，看着是真头疼

去掉R11，这样就能拉低栅极电压了，针对图1，看图真的很晕

bbnmnc 发表于 2025-1-15 11:03

这个电路即使在元器件参数都合适的情况下最终也会变成线性恒流源烧毁功率MOS管，不会过流后咔一下完全关闭的

试试这个

电流采样、放大、控制NPN+PNP做的RS触发电路（也可以用一个单向可控硅），然后控制MOSFET，一般是us级关断，也可以用电容来延迟关断，好使、可靠，我用过无数。

coody 发表于 2025-1-15 15:01
电流采样、放大、控制NPN+PNP做的RS触发电路（也可以用一个单向可控硅），然后控制MOSFET，一般是us级关断 ...

这种方式，us方式我试过，OCP触发很灵敏，但是短路就来不及，会导致前级电压直接拉低的

十个太阳 发表于 2025-1-15 11:39
去掉R11，这样就能拉低栅极电压了，针对图1，看图真的很晕

说错了，去掉R11，三极管集电极接R1和R3的连接点，这样就会形成打嗝式保护
另外要是过流就自动断开不再恢复，后面有位说的用可控硅做更合适

这位兄弟说的极是，一直习惯用于直接接ic内部比较器，忘记这回事了