续流二极管问题

如果 MOSFET 控制的是 电机、继电器、线圈、变压器 等感性负载，关断瞬间会产生反向电压，可能会损坏 MOSFET 或导致其发热。

续流二极管 反向恢复时间过长，导致关断瞬间有较大的反向电流流经 MOSFET，引起发热。

解决方案：

在 NMOS 并联肖特基二极管，以吸收感性负载的反向电流。

选用 快恢复二极管 或 超快恢复二极管。

一般用肖特基二极管，我在做一个类似项目，之前买的肖特基找不到了，刚去嘉立创下单买了几个。

那个电路走线也会产生一定的寄生电感

续流二极管如何选型呢，有研究吗

598330983 发表于 2025-3-28 13:44
续流二极管如何选型呢，有研究吗

小型继电器和电机多采用1n4007，其它场景没有见过别的型号。

具体如何优选？

在实际应用中，怎么确定选用肖特基二极管还是快恢复二极管呢

如果使用续流二极管后还是出现发热问题，那还有别的解决办法吗

如果电路中没有续流二极管，会有什么后果呢

小型继电器和电机多采用1n4007，那这个型号的二极管有什么优点呢

那个电路走线产生的寄生电感对续流二极管的影响大吗

我觉得类似电路，是不是驱动电机的，这里都不应该省略二极管，免得线路有电感。

这玩意好像随便一个都行，没啥选型要求吧。

这玩意儿是不能省的。

确实，续流二极管对于保护MOSFET非常重要。并联肖特基二极管是个不错的选择，它能有效吸收反向电流。

续流二极管选型时评估瞬时浪涌电流，需结合感性负载特性：
确定负载电流峰值：浪涌电流通常等于或接近负载正常工作时的最大电流（如电机堵转电流）。
电感储能计算：根据电感值 L 和关断前电流 I，储能为 0.5×L×I²，放电时通过二极管和回路电阻形成浪涌，峰值电流≈I + (电源电压 / 回路阻抗)。
关断时间影响：开关关断速度越快，电流变化率（di/dt）越大，浪涌峰值可能更高（需考虑线路寄生参数）。
参考二极管参数：需确保二极管的浪涌电流额定值（如 IFSM）大于计算峰值，通常留 2-3 倍余量。