本帖最后由 molb 于 2025-4-25 08:22 编辑
驱动回路设计不当：驱动回路中的杂散电感和电容会导致RC低通滤波效应，使得VGS的上升沿和下降沿变得缓慢，导致MOS管未能完全导通或关断，从而增加导通电阻RDSon，导致发热1。 开关频率过高：高频开关操作会增加开关损耗，导致发热。在追求小型化和高效率的同时，过高的开关频率会显著增加MOS管的损耗和发热23。 工作状态不当：如果MOS管长时间工作在线性区域而非开关状态，会导致功率损耗增大，发热严重。此外，开关不完全也会导致压降过大，功率消耗增加，从而加剧发热
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