本帖最后由 aozima 于 2012-9-24 10:34 编辑
芯片STM32F4ZG，外扩SRAM。
最初发现问题是当使用了外部SRAM时，以太网经常不通。
后发现独立读写外部SRAM时以太网的灯有闪烁现象。
最后用示波器查得当进入外部SRAM数据读写时RMII_TX上面有几百mV的杂波。
这几百mV的杂波被PHY接收认为是有数据要发送，所以灯闪。
开始以为是PCB布线太差引起的，但在后面的验证中发现。
当我把RMII_TX设置为推挽输出，并输出低电平，当FSMC读写时依然有几百mV的杂波。
进一步实验如下：
把另一个与以太网无关的独立GPIO设置为推挽输出，并输出低电平，也有类似现象。
同时在以前测试时有发现在JTAG烧写FLASH的过程中UART有输出乱码的现象。
在FSMC的GPIO配置中，把CS，RD，WR的配置取消，
也就是说此时SRAM并不参与工作，只是FSMC的GPIO在输入输出，现象依旧。
现在因为这个问题很头大。 |
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