NAND FLASH诡异的问题,

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 楼主| resxpl 发表于 2013-1-23 20:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 resxpl 于 2013-1-24 00:07 编辑

每次发一条写16字节的指令.结果第1字节自动每个16字节地址重复写一遍. spare area也不放过. 郁闷. 这是什么原因呢?

写: addr = 19, 长度: len=16, 数据: A0, A1, ..., AF
结果:
addr 0:    FF FF FF A0 FF, ..., FF
addr 16:  FF FF FF A0 A1, ...,  AC
addr 32: AD AE AF A0 FF, ..., FF
addr 48: FF FF FF A0 FF, ..., FF
...
GoldSunMonkey 发表于 2013-1-23 22:31 | 显示全部楼层
你自己写的控制器?
 楼主| resxpl 发表于 2013-1-24 00:14 | 显示全部楼层
是的. 自己写控制器.
GoldSunMonkey 发表于 2013-1-24 23:21 | 显示全部楼层
贴你的NAND要求的时序和你写的时序图上来
 楼主| resxpl 发表于 2013-1-25 22:54 | 显示全部楼层
本帖最后由 resxpl 于 2013-1-28 20:26 编辑

附件里面有.  
写flash的时序.










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GoldSunMonkey 发表于 2013-1-26 00:17 | 显示全部楼层
我觉得你的代码有问题,不符合NAND的规则啊
GoldSunMonkey 发表于 2013-1-26 00:18 | 显示全部楼层
当读数据时,先从NAND FLASH内存单元把数据读到页寄存器,外部通过访问NAND FLASH I/O端口获得页寄存器中数据(地址自动累加);当写数据时,外部通过NAND FLASH I/O端口输入的数据首先缓存在页寄存器,写命令发出后才写入到内存单元中。
GoldSunMonkey 发表于 2013-1-26 00:18 | 显示全部楼层
感觉你的不是啊
 楼主| resxpl 发表于 2013-1-29 21:09 | 显示全部楼层
呵呵, 解决了.
时序是对的, 频率降低就好了.
感叹下, flash速度真慢.
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