大师们帮忙看看该经典的电路 (图)

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 楼主| 杨小照 发表于 2007-9-8 16:20 | 显示全部楼层 |阅读模式
大师们帮忙看看该经典的电路 (图) 
用单片机测出了充电时间T,求输入电压Vin  
 
awey 发表于 2007-9-8 16:27 | 显示全部楼层

单积分的AD转换电路

因充电电流与输入电压成正比,所以电容上的电压是线性上升的,上升的斜率与输入电压成正比,所以充电时间T与输入电压成正比。

最好用双积分,可以消除器件参数的影响。
 楼主| 杨小照 发表于 2007-9-8 16:28 | 显示全部楼层

回楼上

充电时间T与输入电压成NO正比?????????????????。
awey 发表于 2007-9-8 16:30 | 显示全部楼层

说反了,是反比

电压高,充电快
木头东瓜 发表于 2007-9-8 16:38 | 显示全部楼层

老a

别说了
这伙计在好几个版面发帖子问一个问题
看着就烦
 楼主| 杨小照 发表于 2007-9-8 16:41 | 显示全部楼层

回可爱的楼上(瓜)

抱歉!我也是让大家都看看.急呀! T=56020us Vin=?
木头东瓜 发表于 2007-9-8 16:43 | 显示全部楼层

你急别人可不急

急就应该一个帖子发好几次/好几个地方么?
 楼主| 杨小照 发表于 2007-9-8 16:46 | 显示全部楼层

回可爱的楼上(瓜)

大哥帮忙看看吧,给个公式吧?
awey 发表于 2007-9-8 16:47 | 显示全部楼层

可以大概用公式计算:

Q=C×V=I×T
I=Vin/R   V=2.5V   (R 是与电容相连的电阻)
代入就可以算出Vin。

因器件的离散性,实际需要调校
 楼主| 杨小照 发表于 2007-9-8 16:56 | 显示全部楼层

回楼上(awey)

事先谢谢,我还是不太明白.能请您将计算步骤写一下好吗.

T=56020us   C=0.1uf  R1=10K  R2=6.81K  求Vin.

拜托! 拜托!! 拜托!!!
awey 发表于 2007-9-8 17:03 | 显示全部楼层

自己算吧: Vin=(2.5×R2×C)/T

 楼主| 杨小照 发表于 2007-9-10 08:15 | 显示全部楼层

回楼上

实际测量:充电的时间与输入的电压,非线性的关系.是成一个指数的关系.

        -t/rc 
UC=E(1-e      ).
awey 发表于 2007-9-10 08:20 | 显示全部楼层

从电路上看不可能是指数关系

根据运放的虚短原理,流过R(R 是与电容相连的电阻)的电流等于Vin/R,也就是充电
电流,Vin恒定时,充电电流衡定,电容上的电压是线性上升的。
 楼主| 杨小照 发表于 2007-9-10 08:40 | 显示全部楼层

的确是非线性的关系

我反复的测试的确是非线性的关系单片机指数计算太慢,还是用查表吧!
$$$
awey 发表于 2007-9-10 09:15 | 显示全部楼层

不知道你说的非线性指的是什么?

你测到的是充电时间,而不是C上的电压,我说的线性是电容器上电压的上升是线性的。
充电时间与C上的电压成反比,也就是与输入电压成反比,肯定不是线性的,不要搞错了?
maychang 发表于 2007-9-10 09:33 | 显示全部楼层

回楼主

确实是非线性,但未必是指数关系。
不知道楼主所说“实际测量”出指数关系是怎样测量出来的。

此电路电容两端电压与时间在电容充电这段时间内肯定是线性关系,不可能是指数关系。
但充电时间与输入电压并不是线性关系,输入电压越高,充电时间越短。
充电时间与输入电压也不是反比关系,因为充电并不是从零开始,而是从输入电压开始,充电到2.5V结束。
 楼主| 杨小照 发表于 2007-9-10 09:58 | 显示全部楼层

该电路是一个毫伏极A/D

看看:毫无规律!!!
Vin;      T;
100ms     55506us
120mv     56572us
190ms     59362us
200ms     59652us

单片机对与指数的运算太慢,所以我采用查表的方法.
awey 发表于 2007-9-10 10:05 | 显示全部楼层

mV级用此电路不合理

三极管做电容的放电开关不合理,三极管有饱和压降,电容放电不彻底,有一个饱和压降的基数,而且这个值是很不确定的,并随温度变化很大。

最好将三极管改成MOS管。

单积分电路稳定性很差,积分RC的值对结果影响很大,最好用双积分电路。
 楼主| 杨小照 发表于 2007-9-10 10:06 | 显示全部楼层

该电路是一个毫伏极A/D

输入我用<UJ33a型直流电位差计>
时间用单片机检测.
看看:毫无规律!!!
Vin;      T;
2ms       65535-35128us 
100ms     65535-55506us
120mv     65535-56572us
190ms     65535-59362us
200ms     65535-59652us

单片机对与指数的运算太慢,所以我采用查表的方法.
awey 发表于 2007-9-10 10:10 | 显示全部楼层

还有,积分电容一定要用无电荷存储效应的薄膜电容

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