关于芯片内部插入电容的计算 (数字芯片内部的一点模拟电路

发表于 2007-1-30 20:56

代发一个朋友的问题： 假如芯片内置VR（voltage regulator )，不允许片外接电容来配合。VR输出2.5v, VR要求电流从1~50mA的上升时间大于300ns时，VR电压才不会明显波动。 假设要使VR因电流变化导致的电压波动控制在0.4v以内，在这种情况下，芯片内部电容如何加？加多大比较合适？如何计算出这个适当的电容值。  （假设芯片存在电流从1~50mA的变化，且变化时间快，变化前后电流消耗波动不大，即50mA电流将维持一段时间）  主要是因为一个数字芯片内部要加一个VR IP，所以要涉及一些模拟的知识。而我们都是做数字芯片的，对模拟基本上完全不懂了，希望懂行的朋友指点一二。 先行谢过！

发表于 2007-1-31 10:23

Uc=(1/C)*I*t&lt0.4

发表于 2007-1-31 20:40

虽然还是不明白 :(

发表于 2007-1-31 22:47

电容很浪费面积,芯片内置电容容量一般非常小,一般都在数十pF以内,要内置电容,都是专用的,是需要结合实际电路才能算出,VR电路一般都是自偏置稳压电路,然后通过运放缓冲,或者是直接MOS管缓冲,加大它的驱动能力,最后送给电路供电,配置电容,要结合实际电路,希望楼主能将电路给出,大家才好帮忙哦

发表于 2007-2-8 22:33

有专门的片内REGULATOR、需要的话可联系提供混合信号IP的厂家。。。

关于芯片内部插入电容的计算 (数字芯片内部的一点模拟电路

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谢谢 yezeg

能否把图发上来

有专门的片内REGULATOR

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