相控整流电流要在可控硅两端并联RC吸收电路,那么二极管整

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 楼主| 想飞的蜗牛 发表于 2007-3-9 09:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
可控硅两侧并RC为了抑制du/dt,di/dt,防止过电流过电压,并且减小开关损耗。<br />如果是由二级管组成的功率较大的不可控整流电路呢,RC吸收电路是否还有必要?<br />我的个人理解:由于过零触发,du/dt可能不会过大,但是di/dt仍然存在,RC吸收还是有必要的。<br />
孤独泪 发表于 2007-3-12 13:02 | 显示全部楼层

我认为没有必要

因为可控硅的抗过压和过流能力较弱,而二极管没有这方面的问题
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