MOSFET的Cgd电容

经常看帖子中讲到，MOSFET的Cgd电容会将漏源极间电压耦合到栅极上，导致MOSFET烧坏，请问这一过程是怎么进行的，求大神帮忙解释，非常谢谢

没看到过有这种说法啊。如果真有这种说法，说说我自己理解，就是电容的特性是隔直通交，MOS是以高频工作的，电容阻抗会小很多，漏栅极电容属于寄生电容，漏极一般接变压器，有三百多伏的高压，并持续的震荡，因为电容对高频阻抗很小，所以这个漏极电压会耦合到栅极上面。造成栅极过压损坏。在栅源极间并一电阻可以缓解这种现象。以上内容纯属猜测。