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  • D2PAK封装的MOSFET在不加散热器场景下允许的最大安全损耗

    有个项目使用D2PAK(TO-263)封装的MOSFTE,工作环境温度-20℃至+60℃,用于普通的电子开关(代替继电器);1、目前使用两只MOS管最大过电流30A(长时间工作小于25A,回路里面有个30A熔丝),MOSFET的内阻是1.8mΩ(两个管子跑30A时,总的损耗也就是0.81W);2、目前使用四只MOS管最大过电流60A(长时间工作小于55A),MOSFET的内阻是1.8mΩ(四个管子跑60A时,总的损耗也就是1.62W);请问各位有经验的前辈,不加散热器不用铝基板裸奔长时间运行安全吗?

  • 铝基板设计时怎么去除敷铜和铝基之间的绝缘层

    用AD9进行铝基板设计时怎么把铝基板的铝直接露出来,希望能把TO-247封装的MOS加陶瓷垫片直接固定在铝板上,增加导热性

    2021-12-12 5
  • 关于大容量电池限流充电的问题

    下图是充电回路,两个MOS串联,限流是用霍尔采样电池回路电流然后传给MCU,通过MCU实现PWM限流,实测MOS的GS驱动波形正常(见下图),现在开启限流后MOS特别烫(TO263封装,外壳已加散热器,PCB打孔加散热器,用的铜排过电流),不开限流,正常充电没问题,实测DS每次关断时会有震荡,请教是什么原因引起的,怎么解决。