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D2PAK封装的MOSFET在不加散热器场景下允许的最大安全损耗
有个项目使用D2PAK（TO-263）封装的MOSFTE，工作环境温度-20℃至+60℃，用于普通的电子开关（代替继电器）；
1、目前使用两只MOS管最大过电流30A（长时间工作小于25A，回路里面有个30A熔丝），MOSFET的内阻是1.8mΩ（两个管子跑30A时，总的损耗也就是0.81W）；
请问各位有经验的前辈，不加散热器不用铝基板裸奔长时间运行安全吗？
1、目前使用两只MOS管最大过电流30A（长时间工作小于25A，回路里面有个30A熔丝），MOSFET的内阻是1.8mΩ（两个管子跑30A时，总的损耗也就是0.81W）；
2、目前使用四只MOS管最大过电流60A（长时间工作小于55A），MOSFET的内阻是1.8mΩ（四个管子跑60A时，总的损耗也就是1.62W）；
请问各位有经验的前辈，不加散热器不用铝基板裸奔长时间运行安全吗？
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2022-02-10
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器件本身的参数的一致性
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2022-01-19
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