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    我想问下 为什么很多芯片的规格书电流的参数都是用电压值表示?都没有一个具体的电流值。

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  • 三极管和MOS管有哪些区别? sos

    1、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制. 2、成本问题:三极管便宜,mos管贵。 3、功耗问题:三极管损耗大。 4、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。 三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 MOS管不仅可以做开关电路,也可以做模拟放大,因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。 二者的主要区别就是:双极型管是电流控制器件(通过基极较小的电流控制较大的集电极电流),MOS管是电压控制器件(通过栅极电压控制源漏间导通电阻)。 MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵。 三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大,缺点损耗大,基极驱动电流大,驱动复杂。 一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管。 实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。 (1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。 (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 (3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。 (4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 (5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。 (6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。 其他比较: 1、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。 场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子 2、三极管属于电流控制器件,有输入电流才会有输出电流。 场效应管属于电压控制器件,没有输入电流也会有输出电流。 3、三极管输入阻抗小,场效应管输入阻抗大。 4、有些场效应管源极和漏极可以互换,三极管集电极和发射极不可以互换。 5、场效应管的频率特性不如三极管。 6、场效应管的噪声系数小,适用于低噪声放大器的前置级。 7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管,反之则选用三极管更为合适。

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  • D类功放的功耗估算

    [color=#333333][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=微软雅黑][size=16px]请教各位坛友 有关D类[/size][/font][/backcolor][/color][color=rgb(65, 131, 196)][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=微软雅黑][size=16px]功放[/size][/font][/backcolor][/color][color=#333333][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=微软雅黑][size=16px]的功耗如何估算事宜 比如TPA3255,48V供电,PBTL时,带负载2ohm。此时48V需要供电多少电流,TPA3255本身的功耗大概是多少?[/size][/font][/backcolor][/color]

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  • 请推荐30-100V输入的降压式DCDC解决方案

    我需要的降压式DC/DC方案,输入是30-100V,输出是5-15V,电流约2A,有合适的方案请推荐一下。谢谢!

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  • 请教一问题:如何实现输出100MHz的恒流电流源

    项目需要100MHz调制激光二极管,但市面上的芯片普遍都达不到这么高的频率,请问可以实现输出电流大概10mA左右,频率100Mhz正弦波的高频恒流源吗?找到的恒流源电路在频率达到几十兆赫兹就实现不了恒流,各位大佬能指点一下吗?[em:30:]

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  • 自激式开关电源,mos管驱动振荡频率为什么会变化?

    自激式开关电源,MOS管驱动电平正常的时候是100k左右,但是会跳变到28k,不知道什么原因? 负载不变,电流保护没起作用,输出会有变化。

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  • INA233 测量电流、电压、功率

    有大家用过这款芯片没,我一直没的看明白,这个电流到底应该怎么计算,也就是文档里所说的M值;先说我了解的吧,校准值我怎么怎么计算,虽然我不清楚[color=#231f20][font=Helvetica][size=13.3328px]0.00512到底干什么用的,其次电压也是没有问题的,文档有说最小LBS值[/size][/font][/color] [color=#231f20][font=Helvetica][size=13.3328px]我理解的电流系数是 [/size][/font][/color][font=Helvetica][color=#231f20][size=13.3328px]说明R=2mR [/size][/color][/font][color=#4d4d4d][font="][size=18px]Power_LSB = 25 * Current_LSB[/size][/font][/color] [color=#4d4d4d][font="][size=18px]BusVoltage_LSB = 1.25 mv/bit 固定值[/size][/font][/color] [color=#4d4d4d][font="][size=18px]ShuntVoltage_LSB = 2.5uv/bit 固定值[/size][/font][/color] [font=Microsoft YaHei, SF Pro Display, Roboto, Noto, Arial, PingFang SC, sans-serif][color=#4d4d4d][size=18px]这个m到底要怎么计算? [/size][/color][/font]

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  • 请教----功率MOSFET的并联应用

    [i=s] 本帖最后由 Alandalin 于 2020-9-7 14:01 编辑 [/i] 请教各位,有没有通过并联方式(如3个30A的MOSFET并联来实现90A的目标)来扩大功率MOSFET的工作电流的经验?这种方式是否可行?在实际使用上需要注意些什么?这样做有经济性吗?感谢!

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  • ADA4530输出异常

    用ADA4530做TIA电路,进行微弱电流探测,±8V供电正常,但无论给多大电流,芯片输出脚电压都为2.4V,求解,是芯片已经损坏吗

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  • 还有没有比DRV8870驱动能力更强的全桥集成芯片?

    还有没有比DRV8870驱动能力更强的全桥集成芯片? 最好电流可以≥5A左右。

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  • 18650电池需要输出大电流,是否去掉锂电保护

    各位老师, 应用中18650电池需要输出10A左右的瞬态大电流,如果有锂电保护,则电流限制住了,达不到效果,是否可以去掉呢? 要是去掉了不知用什么充当保护电路? 比较纠结的问题。

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  • BLDC启动问题

    本人才接触电机控制不到一星期,刚接手公司的一个电机项目。我的程序是单独给q轴电流,将电机先拖到零位,再加速启动。现在遇到的问题是上电后电机不转动,调整了启动电流也不行,想请教一下一些可能的原因?

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  • 超声雾化片干烧时电流变化的问题

    超声雾化片1.7MHZ\2.4MHZ(不是微孔雾化片)在干烧时电流是增大的,还是减小.

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  • 请问各位大神一个PNP三极管漏电流的问题

    [attach]1520436[/attach] [attach]1520438[/attach] [color=#333333][font=Arial]图1是我改前的[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]电路[/font][/color][color=#333333][font=Arial],作用是用5V[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]电源[/font][/color][color=#333333][font=Arial]给板上一个法拉电容充电,VCLK是给[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]时钟[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]芯片[/font][/color][color=#333333][font=Arial]的供电,当板断电时,此法拉电容将会维持对VCLK的供电,实际使用中发现,断电后两个PNP[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]三极管[/font][/color][color=#333333][font=Arial]的漏电流都很大,我将法拉电容充电至4.7V后,断电去掉时钟芯片后[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]测量[/font][/color][color=#333333][font=Arial]R6与R7的压降,R6有150mV,R7有20mV左右,即这两个管子都有150uA左右的漏电流,但规格书上Icbo都只有100nA明显不符。[/font][/color] [color=#333333][font=Arial]我按图2的电路更改,其他部分都没动,将R5由射极移到集电极,结果就没有漏电流了,上电的时候也能正常工作,请问各位大神这是什么原理?为什么移动下R5的位置就没有漏电流了?另外我发现漏电流大小与法拉电容电压成正比,请问这又是什么原因?[/font][/color] [color=#333333][font=Arial]替一位同行代问[/font][/color]

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  • 这个空开要换吗?

    电瓶车的空开,还能自由扳动。可能是大电流时被电线、雨衣压住了。 [attach]1519040[/attach] [attach]1519042[/attach] [attach]1519044[/attach]

    AC 电流

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