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GD32F107VCT6-GD32F10X_CL 在哪里进行了宏定义
产品型号 GD32F10X_CL 在哪个文件内定义的? gd32f10x_gpio.h 有如下代码,但搞不清楚GD32F10X_CL 在哪里定义过? #ifdef GD32F10X_CL #define GPIO_CAN0_PARTIAL_REMAP ((uint32_t)0x001D4000U) /*!< CAN0 partial remapping(only for GD32F10X_CL devices) */ #define GPIO_CAN0_FULL_REMAP ((uint32_t)0x001D6000U) /*!< CAN0 full remapping(only for GD32F10X_CL devices) */ #define GPIO_ENET_REMAP ((uint32_t)0x00200020U) /*!< ENET remapping(only for GD32F10X_CL devices) */ #define GPIO_CAN1_REMAP ((uint32_t)0x00200040U) /*!< CAN1 remapping(only for GD32F10X_CL devices) */ #define GPIO_TIMER1ITI1_REMAP ((uint32_t)0x00202000U) /*!< TIMER1 internal trigger 1 remapping(only for GD32F10X_CL devices) */ #define GPIO_PTP_PPS_REMAP ((uint32_t)0x00204000U) /*!< ethernet PTP PPS remapping(only for GD32F10X_CL devices) */ #endif /* GD32F10X_CL */
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求助 关于gd32f10x_conf.h的问题
[i=s] 本帖最后由 shehui 于 2021-11-16 17:56 编辑 [/i] 我在管网上下的例程 以太网口的 但是编译时候报错 说找不到gd32f10x_conf.h 我也确实没找到 请问大佬们怎么解决一下 [attach]1789548[/attach]
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GD32f10x写flash时,程序中断进入
需要让一些数据可以掉电保存,于使将这些数据写入到flash中,设置一个timer隔一段时间溢出,在写flash期间中断无法进入
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256K 后执行速度GD32F103VET6
[i=s] 本帖最后由 475463351 于 2021-6-10 13:11 编辑 [/i] 官方说法:GD32F10x 系列的 Flash 分为 Code 区(前 256K)和 Data 区(256K 以后的区域),二者在擦 写操作上没有区别,但是读操作时间上存在较大差别,code 区代码取值零等待,data 区执行 代码会有较长延时。应用中如果涉及该架构影响到使用可以通过分散加载来改善,具体做法参 考分散加载应用文档。我想问下扫描时候改成一样的速度?后256K严重影响运行效果,和前面256K,要写两种代码,兼容性非常不友好
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