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用NMOS管线路代替二极管以降低压降,为什么这个电路不能用?
本帖最后由 tyw 于 2024-8-4 13:42 编辑
在5V/2A电源输入电路中, 用到了一个二极管做防反接保护功能, 但是二极管的压降有0.3V左右, 所以这里想用一个MOS管来替代二极管以降低压降, 为了尽量用最少的元器件来实现功能, 这里选用了SI2302这个MOS管, 原理图如下:
原理是: DC5V_IN没有接电时, SI2302的G极有R1下拉, 所以管子处于关闭状态, 当DC5V_IN接通5V电源时, 由D1将SI2302的G极拉高, 使得管子导通.
但实际测试时, DC5V_OUT的电压为4.3V左右, 所以可以判断出是SI2302没有打开, 这是为什么打不开呢? 欢迎各位大神帮忙从原理上分析下这线路使用不了的原因, 非常感谢!
在5V/2A电源输入电路中, 用到了一个二极管做防反接保护功能, 但是二极管的压降有0.3V左右, 所以这里想用一个MOS管来替代二极管以降低压降, 为了尽量用最少的元器件来实现功能, 这里选用了SI2302这个MOS管, 原理图如下:
原理是: DC5V_IN没有接电时, SI2302的G极有R1下拉, 所以管子处于关闭状态, 当DC5V_IN接通5V电源时, 由D1将SI2302的G极拉高, 使得管子导通.
但实际测试时, DC5V_OUT的电压为4.3V左右, 所以可以判断出是SI2302没有打开, 这是为什么打不开呢? 欢迎各位大神帮忙从原理上分析下这线路使用不了的原因, 非常感谢!
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2024-7-23 17:41 上传
NMOS防反接应该这样
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2024-07-23
这种方法确实没想到, 谢谢了!
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前面用PMOS管在整块板子中测出有问题, 怕存在风险, 所以后面还是用二极管的了, 没有用到MOS管了. DC5V必须与后面的要隔离, 因为DC5V这里有做插入检测, 还有一路USB5V供电, 所以要区分开.
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2024-08-05
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看看NMOS的体二极管方向你就明白了，一接DC5V_IN就会正向导通输出正好成4.3V。
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2024-08-05
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2024-07-25
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2024-07-24
能避免不用PMOS就尽量不用PMOS，硅器件中电子迁移率远高于空穴，同规格N型性能总是优于P型或者价格更低。
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2024-07-24
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首先，SI2302是N沟道的MOS管，其导通条件是G极电压高于S极电压。在电路中，当DC5V_IN接通5V电源时，D1将SI2302的G极拉高，但由于SI2302的S极也接在了5V电源上，所以G极和S极之间的电压差为0，无法满足导通条件。
其次，即使SI2302能够导通，由于其体二极管的存在，电流仍然会通过体二极管从D流向S，而不是通过MOS管的沟道，这样就无法实现用MOS管替代二极管的目的。
最后，如果DC5V_IN没有接电，SI2302的G极有R1下拉，管子处于关闭状态，这是正确的。但是当DC5V_IN接通5V电源时，由D1将SI2302的G极拉高，使得管子导通，这个逻辑是错误的，因为如前所述，SI2302的G极和S极之间的电压差为0，无法导通。
综上所述，这个电路设计存在问题，无法实现预期的功能。
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2024-07-24
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对于5V供电，稳压二极管不需要
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2024-07-23
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2024-07-23
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