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CW32L010使能读保护后标志位不正确
本帖最后由 精灵魔仙 于 2025-5-20 08:16 编辑
手头测试的是TSSOP20，使用官方库 void FLASH_SetReadOutLevel(uint16_t RdLevel) 设置为 FLASH_RDLEVEL1，系统会自动重启，但是重启后使用FLASH_GetReadOutLevel()读取值还是为0，查看是读取的 FLASH_CR1.SECURITY。
使能 FLASH_RDLEVEL1 后，尽管标志位FLASH_CR1.SECURITY为0，但是看起来读保护是起作用的，此时使用SWD无法写入，通过ISP下发0x30清除读保护后，可以继续SWD写入。
手头测试的是TSSOP20，使用官方库 void FLASH_SetReadOutLevel(uint16_t RdLevel) 设置为 FLASH_RDLEVEL1，系统会自动重启，但是重启后使用FLASH_GetReadOutLevel()读取值还是为0，查看是读取的 FLASH_CR1.SECURITY。
使能 FLASH_RDLEVEL1 后，尽管标志位FLASH_CR1.SECURITY为0，但是看起来读保护是起作用的，此时使用SWD无法写入，通过ISP下发0x30清除读保护后，可以继续SWD写入。
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不能读取Flash内容，如果48th读保护确定是1的话。
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2026-07-24
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我也遇到这个限制问题，请教 最后一次设置了读保护0x01，后面再执行全片擦除，烧录之后 还能读取flash内容吗？
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2026-07-23
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2025-05-28
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2025-05-28
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2025-05-24
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居然还有一个读保护的操作有效次数限制呀，这个问题要是不问技术支持，估计一时半会还真想不到
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2025-05-22
@精灵魔仙 其他行业不清楚，反正软件开发过程中会经常踩坑，特别是刚接触新MCU芯片的时候，也算是一种实战经验吧。
国内MCU厂商最大的问题，不是怕坑，而是有坑不告诉你。非重要设备用用。
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代码读保护的有效次数用尽之后，以最后一次的保护等级为准，如果是0，则无法进行读保护;如果是1~3，则读保护仍然有效。
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2025-05-21
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原次数确实已经用尽，使用新的芯片该部分是全FF。当使能读保护后，FLASH_GetReadOutLevel() 会返回1. 可以澄清返回0是用尽的问题。当用尽后，再调用官方的 FLASH_SetReadOutLevel() 函数就会死循环，建议此函数中添加次数是否用尽的检查。
现在的疑问：
48次的限制，是否意味着48次加保护，去保护操作之后，芯片就只能处于非读保护状态了？
48次读保护限制应该是你们的SPEC，希望写入官方文档，方便用户解惑。
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2025-05-21
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CW32L010代码读保护的有效次数只有48次，次数用完之后，读保护就失效了。但此状况与你反馈的现象完全不同。
1、请检查一下读保护次数，附图是48次用尽的情况，其地址为0x100730~0x10075F。
2、你之前所言，读保护已生效，但CR1.security为0，是如何得知，请告之操作流程，且截图FLASH & SYSCTRL。
3、建议批量生产时，再使能读保护功能。
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2025-05-21
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