在ARM单片机中，应用程序通常从Flash存储器启动，但为了提升性能（尤其是需要频繁读写的场景），可以将部分或全部代码加载到RAM中运行。以下是具体实现方法和注意事项：

1. 基本原理
Flash vs RAM运行：

Flash：默认存储和运行位置，但读写速度较慢（尤其等待周期长的MCU）。

RAM：速度更快，无擦写寿命限制，适合高频执行代码或动态加载算法（如DSP处理），但容量有限且断电丢失数据。

2. 实现步骤
(1) 修改链接脚本（Linker Script）
关键是将代码段（如.text或特定函数段）分配到RAM地址范围，并确保加载地址（Flash）和运行地址（RAM）分离。

示例（GCC链接脚本片段）：
(2) 标记需在RAM运行的函数
通过编译器属性将特定函数分配到自定义段（如.ram_code）。

示例（基于GCC/ARM-Clang）：
(3) 初始化代码（复制Flash到RAM）
启动时需将.ram_code段从Flash复制到RAM。通常在启动文件（如startup_*.s）或main()前调用：
(4) 重定向中断向量表（可选）
若需中断服务程序（ISR）在RAM运行，需将向量表复制到RAM并更新寄存器（如ARM Cortex-M的SCB->VTOR）：
3. 注意事项
容量限制：确保RAM足够存放代码和数据。

启动时间：复制代码会增加启动时间，影响实时性要求高的场景。

调试支持：需调试器支持RAM代码调试（可能需特殊配置）。

优化配置：某些MCU需配置总线优先级（如ART Accelerator on STM32）以提升Flash执行速度，可能无需RAM运行。
4. 常见应用场景
实时信号处理：FFT、滤波等算法。

动态加载：通过Bootloader将代码从外部存储加载到RAM执行。

超频调试：当Flash无法稳定运行在高频时，改用RAM。

5. 工具链差异
Keil/IAR：通过IDE配置代码段地址，或使用__ramfunc关键字。

GCC/Clang：依赖链接脚本和属性标记。

通过合理规划内存布局和初始化流程，ARM单片机可以高效利用RAM提升关键代码性能。