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GD32F103VET6替换同型号STM32，并口写入数据有问题

西加加2026-03-23

如题，原先使用STM32VET6 使用FSMC接口写入/读写外部的SRAM芯片，正常，使用8位数据位读写（外部SRAM芯片仅支持8位数据位），地址总线和数据总线复用。地址线使用到a0-a11；

都是使用的是STM32的HAL库。

STM32写入时，先写入地址，在写入数据，但在写入数据期间，因为是复用的，AD0-AD7由地址数值切换为数据数值，而AD8-AD11仍保持高地址数值；数据可以正常写入到外部的SRAM芯片中；

但是替换为GD32后，写入数据时，在写入数据期间，AD8-AD11会直接输出低电平，就会导致数据不会写入到AD8-AD11为一的地址上；（写入地址的时候，AD8-AD11会输出对应的高低电平，但是到写入具体数据时，AD8-AD11会直接输出低电平）

举一个例子，例如我向0x60000303写入数据0x11；
STM32可以在0x60000303写入数据0x11；
而GD32由于上面说的在写入数据的时候，AD8-AD11总是输出0，所以就会向0x60000003的地址上写入了0x11，无法正常向0x60000100-0x600007FF写入数据。

GD32可以正常向低地址上写入数据，读数据均正常（低地址/高地址均可读出正确数据）；目前的问题就是GD32无法在写入具体数据的周期中，无法保证AD8-AD11的状态导致的问题。

请问是否有办法通过修改gd32的寄存器的方式或者设置，直接实现正常向高地址写入数据。

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2 个回答

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西加加

感谢您的回复，我刚才去看了一下GD官方的代码，对了一下，他例子里面用的是16位数据位，我的外设是8位，我之前试过用16位数据位，数据高8位写入的数据是地址位的高位，数据到是能写入到高地址上，但写入的位置是错的，也不排除是用了16位数据位，导致读数据出出现了问题。

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2026-03-24

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dffzh

你可以看看芯片固件库，看是否有你需要的demo代码，GD32应该就是EXMC外设：

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2026-03-24

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