我买回LPC2478开发板进行了一个星期的学习和摸索，对LPC2478有几个疑问，希望能给指点一下
1、我调试的时候同样一个程序在片内FLASH、片内RAM还有在SDRAM中运行的时间都一样的，以下是我的程序
int main (void)
{
PINSEL7=0x00000000; /* 设定P3口的连接方式 */
FIO3DIR=LED9; /* 配置LED9为输出 */
while(1)
{
FIO3SET=LED9; /* LED9输出1 */
sysDelayNS(1000); /* 延时 */
FIO3CLR=LED9; /* LED9输出0 */
sysDelayNS(1000);
}
return 0;
}
这个程序是开发板光盘上带的GPIO的程序,我分别用DebugINChipFlash,DebugInChipRAM,DebugInExDRAM三种模式运行
结果我用示波器量出来,运行sysDelayNS(1000)所需要的时间大约都为620ms,三种模式之间相差不大,这怎么解释呢？
2、是关于SDRAM的问题，我是初次用SDRAM。在DebugInExDRAM中，程序是不是先下载到FLASH然后再搬移到SDRAM中，那么断电后重起
后程序是不是就从FLASH中读出来搬到SDRAM中开始运行了？还是自己要专门写程序进行搬移？
另外我在DebugInExDRAM下运行程序，发现程序从0X400001B4开始运行，SDRAM的地址不是0XA0000000？
3、关于LPC2478LCD显示。在程序中LCD_BUFFER0是一个240*320的unsigned short数组。
我用以下程序进行测试，发现往这个数组里添满数竟然大约要40ms，这个速度也太慢了吧，
用配套的TF118屏是大约9ms就把点打满一屏，我CPU什么也不干，一直往里添数据都满足不了人家显示的要求，这个问题是怎么解决呢？
如果我程序在SDRAM里运行，并且LCD_BUFFER0这个LCD缓冲区也在SDRAM里，那运行的时间是不是更慢了呢？因为LCD用DMA方式也要占用系统总线，读写SDRAM也要用系统总线。
while(1)
{
FIO3CLR=LED9; //为低电平
for(i = 0;i<240;i++)
for(j =0;j<320;j++)
LCD_BUFFER0[j] =0xf800; //全部为红颜色
FIO3SET=LED9; //为高电平
for(i = 0;i<240;i++)
for(j =0;j<320;j++)
LCD_BUFFER0[j] =0x07e0; //全部为绿颜色
}
以上就是我的三个疑问，我初学ARM，有说的不清楚的地方还望大虾们谅解。 |
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