相信你没有仔细地看STM32的相关手册，请看《STM32F10x的闪存编程手册》（英文版下载 中文版下载）
在2.4.1节(Read protection)有这样的描述：
This protection is activated by setting an option byte in the information block. Once the protection byte is programmed to a value, Flash memory read accesses are not allowed when the device is in debug mode. All features linked to loading and executing code in RAM are still active (for example, JTAG/SWD, boot in RAM, etc.) and this can be used to disable the read protection (access to the Flash memory still denied).
中文译文为：这项保护是通过设置信息块中的一个选择字节启动的。当保护字节被写入相应的值以后，在调试模式中将不允许读出闪存存储器，所有在RAM中加载和执行的功能(如JTAG/SWD，从RAM启动等)仍然有效，这样可以用于解除读保护(访问闪存仍然被禁止)。
在第2.4.2节还有一张表清楚地列出了读保护和写保护的作用范围：
从上述文字和列表中可以看出，当读保护生效时CPU执行程序时可以读受保护的Flash区，有两个例外情况：1）调试执行程序时；2）从RAM启动并执行程序时。
所以说9楼的理解“STM32这样对FLASH读出保护后，连程序本身都无法读取自身”是不对的。 |
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