如何往flash里面写入int型数据，张老师

只看该作者 · 2007-5-26 11:11

/*-------------DoEraseFlash:擦除指定flash区------------*/
void DoEarseFlash(void)
  {
    unsigned int c;
    FLBPR=0xff;                    //设置flash保护区
    FLCR_ERASE=1;     //1->ERASE,0->MASS(页擦除)
    FLCR_MASS=0;
    c=FLBPR;              //读FLBPR
    *((volatile unsigned char *)(0xde00))=0x99;//向被擦写的单元写任意字符
    for(c=0;c<100;c++);   //延时10us
    FLCR_HVEN=1;     //1->HVEN (加高压)
    for(c=0;c<1000;c++);  //延时时间必须>1.6ms
    FLCR_ERASE=0;     //0->Erase
    for(c=0;c<100;c++);   //10us
    FLCR_HVEN=0;     //0->HVEN(取消高压)
    for(c=0;c<100;c++);   //延时10us
  }

/*-------------------------------------------------------*/
/*-----------DoWriteFlash:实际执行的写入函数-----------*/
void DoWriteFlash()
  {
    unsigned int c;
    FLBPR=0xff;
    FLCR_PGM=1;      //1->PGM,编程状态
    c=FLBPR;               //读FLBPR
    *((volatile unsigned char *)(0xde00))=0x88;//0x88->C000,选中flash行
    for(c=0;c<200;c++);    //10us
    FLCR_HVEN=1;           //1->HVEN
    for(c=0;c<100;c++);    //10us
  *((volatile unsigned char *)(0xde00))=12;//将数据写入相应的flash地址
    for(c=0;c<350;c++);
    FLCR_PGM=0;            //0->PGM
    for(c=0;c<100;c++);    //10us
    FLCR_HVEN=0;           //0->HVEN
    for(c=0;c<100;c++);    //10us

  }
现在在地址0xde00里写char类型的数据没有问题，但是如何写超过255的数呢
譬如我想写3456，我将DoWriteFlash改为
*((volatile unsigned char *)(0xde00))=34;//将数据写入相应的flash地址
    for(c=0;c<350;c++);
*((volatile unsigned char *)(0xde01))=56;//将数据写入相应的flash地址
    for(c=0;c<350;c++);

可是为什么不对呢？

只看该作者 · 2007-5-26 14:19

只看该作者 · 2007-5-26 15:38

如果一次写一个那写一个int型数据怎么写呢？譬如3456

1万 · 2007-5-26 15:50

3456转换为十六进制就是0xD80, 还要看你系统是大端结构还是小端结构。

如果是大端结构，则将0x0D写在前面的地址，而0x80写在后面的地址.
如果是小端结构，则刚好相反.

自己转换比较麻烦，可以直接在程序里写,使用移位操作,

*((volatile unsigned char *)(0xde00))=(3456>>8);//将数据写入相应的flash地址
for(c=0;c<350;c++);
*((volatile unsigned char *)(0xde01))=(3456&0xFF);//将数据写入相应的flash地址
for(c=0;c<350;c++);

只看该作者 · 2007-5-27 06:49

8位单片机中一个8位宽的字节是最基本的数据描述单位，其他所有数据类型，如int、long、float等都是由多个字节构成。你现在可以将1个字节写入Flash，那就重复写入该过程将其他字节顺叙写入即可。

只看该作者 · 2007-5-28 08:57

你可以一次写入16个字节，准备好要写入的数据，可以一次写入8个INT型

只看该作者 · 2007-5-29 17:37

只看该作者 · 2007-5-29 17:41

既然可以一次写入8个int数据，为什么按照我的写法写3456不对呢

只看该作者 · 2007-5-29 17:49

一定要先转换成16进制才能写马？为什么我写char类型小于255都可以

1万 · 2007-5-30 02:17

一个16位的整型分成2个字节，字节1和字节2.

你往字节1写入了34,往字节2写入了56,那么读回来的结果是多少?

就是34*256+56,而不是3456. 3456是我们十进制的写法,可是MCU里面的高字节
和低字节里面可不是分别保存着3456,而是对应的十六进制的高字节和低字节。
如果照你所想，那一个16位的int岂不是最大是255255了??? 可实际上16位的
最大值是65535,即255*256+255. 而不是直接将两个十进制的连起来，而应该将
两个十六进制的连起来，既0xFFFF.

2万 · 2007-5-30 03:30

只看该作者 · 2007-5-30 08:35

计算机只认0和1，所谓的int 就是16位最大1111 1111 1111 1111,8位机一次
只处理8个位,它的数据线是8位.一次只能写byte, 3456,=0b0000 1101 1000 0000,超出处理能力,所以必须分成2个8位来处理,多看一些汇编例子

只看该作者 · 2007-5-30 17:03

参照了各位老师的建议，现在int型数据可以写入了，是转化成16进制写的，但又出现了一个问题，具体程序如下：
*((volatile unsigned char *)(0xde00))=(3456>>8);//将数据写入相应的flash地址
    for(c=0;c<350;c++);
    *((volatile unsigned char *)(0xde01))=(3456&0xFF);//将数据写入相应的flash地址
    for(c=0;c<350;c++);
    *((volatile unsigned char *)(0xde02))=(1278>>8);//将数据写入相应的flash地址
    for(c=0;c<350;c++);
    *((volatile unsigned char *)(0xde03))=(1278&0xFF);//将数据写入相应的flash地址
我现在想存两个数据，3456，1278，我如果单独存其中一个都没有问题，但是为什么存两个就老是复位，不知道什么原因

只看该作者 · 2007-5-30 17:29

只看该作者 · 2007-5-30 18:37

只看该作者 · 2007-5-31 10:18

写flash的时候遇到一个问题，我想保存的数据存的起始地址是0xde00，
譬如存入3456，
*((volatile unsigned char *)(0xde00))=(3456>>8);//将数据写入相应的flash地址
    for(c=0;c<350;c++);
  *((volatile unsigned char *)(0xde01))=(3456&0xFF);//将数据写入相应的flash地址

    for(c=0;c<350;c++);
读的时候
m=*((volatile unsigned char *)(0xde00)); //00,01地址写入KWH
   n=*((volatile unsigned char *)(0xde01));
  m=m<<8;
  kwh=m+n;  读出的数据没有问题
现在我想存两个int型数据，如3456，1278，仍采用上述方法，将1278存在0xde02，0xde0
3地址，程序如下：
*((volatile unsigned char *)(0xde00))=(3456>>8);//将数据写入相应的flash地址
    for(c=0;c<350;c++);
  *((volatile unsigned char *)(0xde01))=(3456&0xFF);//将数据写入相应的flash地址

    for(c=0;c<350;c++);
  *((volatile unsigned char *)(0xde02))=(1278>>8);//将数据写入相应的flash地址

    for(c=0;c<350;c++);
*((volatile unsigned char *)(0xde03))=(1278&0xFF);//将数据写入相应的flash地址

    for(c=0;c<350;c++);
读的时候m=*((volatile unsigned char *)(0xde00)); //00,01地址写入KWH
   n=*((volatile unsigned char *)(0xde01));//将数据写入相应的flash地址
   p=*((volatile unsigned char *)(0xde02));//02，03地址写入WH
   q=*((volatile unsigned char *)(0xde03));//将数据写入相应的flash地址
   m=m<<8;
   p=p<<8;
   kwh=m+n;
   dwh=p+q;
这时候却老出现复位的现象，不知程序哪里有问题

只看该作者 · 2007-5-31 14:29

包括如何写道RAM中去执行

只看该作者 · 2007-6-1 10:09

只看该作者 · 2007-6-1 12:22

kwh = *((unsigned int *)0xde00);
dwh = *((unsigned int *)0xde02);

只看该作者 · 2007-6-1 12:48

#pragma DATA_SEG DEFALUT        //default data segment
volatile byte ramCode[64]; //开辟64字节RAM区为Flash编程专用

//==============================================================
// Read a string of byte from EEPROM (Flash emulated)
//==============================================================
void ReadEE(byte* eeAddr, byte* datBuff, byte byteCount)
{
   while(byteCount) {
      *datBuff++ = *eeAddr++;
      byteCount--;
   }
}

//==============================================================
// Code to enable and poll for Flash programming
// Must copy into RAM area before actual calling
//==============================================================
byte ExecEePrgCmd(byte cmd)
{
      FCMD = cmd;              //set command
      FSTAT_FCBEF = 1;         //command launched and FCBEF cleared
      NOP();                   //wait at least 4 nop
      NOP();
      NOP();
      NOP();
      if (FSTAT_FPVIOL || FSTAT_FACCERR) { //exit if encounter any error
         return(0);
      }
      while(!FSTAT_FCCF)                   //wait for FCCF=1
         __RESET_WATCHDOG();
      return(1);
}

//==============================================================
// Write a string of byte to EEPROM (Flash emulated)
//==============================================================
void WriteEE(byte* eeAddr, byte* datBuff, byte byteCount)
{
   byte i;
   byte *srcPtr, *dstPtr;
   byte (*FuncInRam)(byte);

   //Copy ExecEePrgCmd code into RAM
   srcPtr = (byte*)ExecEePrgCmd;     //function entry in Flash
   dstPtr = ramCode;                //function entry in RAM
   for (i=0;i<64;i++) {             //do byte copy
      dstPtr = srcPtr;
   }
   FuncInRam = (byte (*)(byte))ramCode;

   FSTAT_FACCERR = 1; //clear any pending Flash error flag

   while (byteCount) {
      *eeAddr++ = *datBuff++;               //latch data byte and memory address
      DisableInterrupts;
      FuncInRam(0x20);                      //byte program, single byte mode
      EnableInterrupts;
      byteCount--;
   }
}

//==============================================================
// Erase a page of EEPROM (Flash emulated)
//==============================================================
void EraseEE(byte* eeAddr)
{
   byte i;
   byte *srcPtr, *dstPtr;
   byte (*FuncInRam)(byte);

   //Copy ExecEePrgCmd code into RAM
   srcPtr = (byte*)ExecEePrgCmd;     //function entry in Flash
   dstPtr = ramCode;                //function entry in RAM
   for (i=0;i<64;i++) {             //do byte copy
      dstPtr = srcPtr;
   }
   FuncInRam = (byte (*)(byte))ramCode;

   FSTAT_FACCERR = 1; //clear any pending Flash error flag

   *eeAddr = 0;       //latch memory address
   DisableInterrupts;
   FuncInRam(0x40);   //do page erase
   EnableInterrupts;
}

上述代码摘自本人编写的一个DIY设计（完成我老爸交给的一个控制任务），运行于9S08AW32/60芯片。基本上适用于其他9S08系列，但不能用于908系列。
由于RAM的大量富裕，所以单独开辟64字节RAM（ramCode）为Flash编程关键代码的运行区。实际代码长度(ExecEePrgCmd模块)可能随C编译器优化级别的设置稍有变化，但不会超过64字节。你可以将ramCode定义在调用函数的堆栈区(和FuncInRam类似的局部变量)，但要确保整个项目所定义的堆栈区有足够的空间。

最后对dianqi123提一些建议：1）多看看芯片数据手册，Flash编程的流程写得很详细，照着做就可以，我就是照着做的，没有其它窍门；2）仔细领会C语言编程的基本技术。看了你的代码，就算Flash能编程了，你的设计最后能否可靠运行还是个大问号；3）必须理解最最基本的数据在单片机内存储和表达方式；4）成功要靠自己的努力钻研，而不是守株待兔。

如何往flash里面写入int型数据，张老师

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既然可以

既然可以一次写入8个int数据，为什么按照我的写法写3456不对

一定要先转换成16进制才能写马？

晕晕晕....楼主还没弄明白....

不喜欢这种写法,确实有些晕~~~

对dianqi123：010101010101。。。

多谢老师的解答

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