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[电路/定理]

模拟电路中的“模”(有些内容“少儿不宜”,慎入)....

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楼主: HWM
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HWM|  楼主 | 2015-10-16 12:52 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
现在再观察一下广义S参数中的所谓“功率波”的定义,其中有个在集总参数电路中可以“自定义”的ZR


而通常人们在使用广义S参数分析网络端口时,直接就将负载或源内组用作了ZR。这就是所谓“病态”的由来!


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HWM|  楼主 | 2015-10-16 12:56 | 只看该作者
讲到这里,已经把功率波广义S参数和所谓的“病态”说清楚了。

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HWM|  楼主 | 2015-10-16 12:57 | 只看该作者
《电路分析》中根本就不存在如此的“病态”!


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玄德| | 2015-10-16 12:57 | 只看该作者

上当,

LZ 是标题党。

:lol

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lkl0305| | 2015-10-16 13:04 | 只看该作者
学习了

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lfc315| | 2015-10-16 16:56 | 只看该作者
我等少儿(还是学前班的)确实应该慎入,看都看不懂。。。

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jz0095| | 2015-10-16 22:35 | 只看该作者
本帖最后由 jz0095 于 2015-10-16 22:51 编辑

歪批。
”病态“指的是没用源阻抗的等效源,即等效信号源。

另外,入反射量及其概念不限于传输线,其定义就是从集总参数电路来的,这些定义量可以应用到传输线上。
功率波a、b是以端口合成电压U、I 定义的,a^2、b^2(平方)是功率,将a、b命名为”..波“,这只是个称呼。由于U、I 可以用入反射量表达,因此a、b也可以用入反射量来表达。

由于入反射也存在于集总参数电路中,端口乃至节点电压都是等效源入反射量的合成。S参数没有频率的限制,受限制的是测量时入反射量的获取。随着技术的发展,网络分析仪的低频端,包括S参数的低频端早就低于10KHz。

说这些,就是要打消低频电路技术人员对S参数、入反射概念的神秘感。你如果能接受Z、Y参数,你就可以接受S参数,它们之间都是可以换算的。

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maychang| | 2015-10-17 08:41 | 只看该作者
jz0095 发表于 2015-10-16 22:35
歪批。
”病态“指的是没用源阻抗的等效源,即等效信号源。

”病态“指的是没用源阻抗的等效源,即等效信号源。

若是这样,那么“电路”就是病态。
“电路”中总认为两导体之间是绝缘的,即两导体之间电导率为零。但真实世界从没有电导率为零的物质,即使是空气,也有微弱导电性。
既然“电路”是“病态”,那么所有电路分析就都是“病态”了。

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nm2012| | 2015-10-17 11:16 | 只看该作者
这不是射频里的理论么,话说HWM老师,你终于复活了:D
本来下学期打算去复旦那念个博士的,导师也联系好了,不过现在因为一些原因不去了

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xukun977| | 2015-10-17 12:33 | 只看该作者
上面的那位报考H大师博士吧,毕业条件是在21IC发够100个帖子,积分达5K,即可授予博士学位!

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jz0095| | 2015-10-17 16:36 | 只看该作者
maychang 发表于 2015-10-17 08:41
”病态“指的是没用源阻抗的等效源,即等效信号源。

若是这样,那么“电路”就是病态。
若是这样,那么“电路”就是病态。
“电路”中总认为两导体之间是绝缘的,即两导体之间电导率为零。但真实世界从没有电导率为零的物质,即使是空气,也有微弱导电性。
既然“电路”是“病态”,那么所有电路分析就都是“病态”了。

你是想以这个类比源阻抗为0,即没有源阻抗是合理的。
这里是两个问题:1.等效源模型中有没有源阻抗元件存在的必要性;2.源阻抗值的大小。
源阻抗值=0,假定存在,也不说明戴维南、诺顿源等效模型中可以取消源阻抗元件、等效源形式需要改变。
在教科书中”理想源裸奔“的等效源 与 戴、诺等效源之间,我**戴、诺等效源的形式和原理,与之不符的被视为”病态“。

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jz0095| | 2015-10-17 21:40 | 只看该作者
或者说,”没有源阻抗元件的等效源“ 与 “戴、诺等效源”之间,必有一个是错的。既使这种情况发生在教科书上,教科书中也必有一个是错的。
除非能够证明在任何条件下两者是等效的。有可能吗?

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nm2012| | 2015-10-25 13:13 | 只看该作者
HWM 发表于 2015-10-17 11:35
一直活着....

确实是《射频与微波》的理论,而且还是最为“基本”的理论(不是最基础的,基础的东西估计 ...

我听说毫米波段国内好像没一家靠谱的,基本上都是做60G飘到20G然后发一篇20G的**,做100G飘到60G发一篇60G的**。不知道是不是这样

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nm2012| | 2015-10-25 16:27 | 只看该作者
HWM 发表于 2015-10-17 11:35
一直活着....

确实是《射频与微波》的理论,而且还是最为“基本”的理论(不是最基础的,基础的东西估计 ...

老师,顺便问个问题哈,如下图:
已知mos管跨导gm,用电流电压反馈的理论,用a/(a+abeta)算出现在的跨导,thx
~

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HWM|  楼主 | 2015-10-26 10:15 | 只看该作者
nm2012 发表于 2015-10-25 13:13
我听说毫米波段国内好像没一家靠谱的,基本上都是做60G飘到20G然后发一篇20G的**,做100G飘到60G发一篇6 ...

"基本上都是做60G飘到20G然后发一篇20G的**,做100G飘到60G发一篇60G的**。不知道是不是这样"

按实情发**应该说已经是不错了。

国内微波器件有相当的差距,应用方面差距不大。

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HWM|  楼主 | 2015-10-26 10:19 | 只看该作者
nm2012 发表于 2015-10-25 16:27
老师,顺便问个问题哈,如下图:
已知mos管跨导gm,用电流电压反馈的理论,用a/(a+abeta)算出现在的跨导 ...

这是个电流串联负反馈,最终应该给出一个小信号的诺顿等效。

你这图画得有点问题,我将另开一帖论之。

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HWM|  楼主 | 2015-10-26 10:28 | 只看该作者
nm2012 发表于 2015-10-25 16:27
老师,顺便问个问题哈,如下图:
已知mos管跨导gm,用电流电压反馈的理论,用a/(a+abeta)算出现在的跨导 ...

https://bbs.21ic.com/icview-1186678-1-1.html

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xukun977| | 2015-10-26 11:07 | 只看该作者
这哥哥读博危险了!
教材CMOS设计上的东东。

做低频的不一定/需要精通高频,但做高频的必然得精通低频电路!

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