关于稳压电源稳定性的一个问题

只看该作者 · 2015-11-3 08:49

如图所示、电路为稳压恒流杠杆控制电路。其中功率管部分预留的是两个IRF640。但是实际调试时发现。这种直接并的结构在Vds有比较大的压差时，输出就振荡了。去除一个则不会出现这种情况。不知有没有大神能分析出原因。或者提供一些参考。谢谢！

1万 · 2015-11-3 15:39

把R41分成两个单独接MOSFET

只看该作者 · 2015-11-3 16:24

wh6ic 发表于 2015-11-3 15:39
把R41分成两个单独接MOSFET

谢谢，我试试。虽然不能理解透彻振荡的原因、、、

只看该作者 · 2015-11-3 20:44

MOS一般都是分开驱动的，不会共用一个驱动电阻

只看该作者 · 2015-11-4 09:21

yytda 发表于 2015-11-3 20:44
MOS一般都是分开驱动的，不会共用一个驱动电阻

嗯，确实。昨天下午飞线弄了一下，屡试不爽

、、、但我还是想知道为什么？

1万 · 2015-11-7 11:08

wstcllx 发表于 2015-11-4 09:21
嗯，确实。昨天下午飞线弄了一下，屡试不爽、、、但我还是想知道为什么？ ...

MOSFET输入相当于一个比较大的电容，直接接运放输出会破坏运放内部的反馈，导致自激，一般需要串入合适的电阻降低有害影响，开始的一粒10R电阻接一粒MOSFET时不满足自激的条件（A小于1），接两粒MOSFET时电容增倍，A就可能大于1导致自激，有兴趣可以试试：开始的接法，电阻改为20R或再大点，看是否还有震荡，分开的接法，电阻改为4.7R，是否又会出现震荡。

2万 · 2015-11-7 22:16

用两个电阻也没用，又不是电流器件。多个MOSFET并联工作在线性区，只能用负反馈来进行分流，正确的办法，是在每个MOSFET的源极串适当的电阻提供足够的负反馈，电阻太小要适合，太小起不到良好的均流作作，太大则功耗过大。

2万 · 2015-11-7 22:28

关于振荡，把R48, R49放到MOS管的源极上，效果优于把R41增大到百欧级

只看该作者 · 2015-11-11 09:06

wh6ic 发表于 2015-11-7 11:08
MOSFET输入相当于一个比较大的电容，直接接运放输出会破坏运放内部的反馈，导致自激，一般需要串入合适的 ...

其实都会。就是振荡的条件不一样了。小的时候。MOS的压降20多幅就振荡了。大的时候可以达到40多幅。分开的时候是90幅以上了。

只看该作者 · 2015-11-11 09:53

PowerAnts 发表于 2015-11-7 22:28
关于振荡，把R48, R49放到MOS管的源极上，效果优于把R41增大到百欧级

谢谢，受教了。其实如照片所示。一开始R48和R49是在源极位置的，从0.5Ω-5Ω都试过。结果是短路时最好。我的分析是由于两个电阻由于电流的变化，会导致两个MOS的Vgs变化。Vgs对于电流来说放大倍数极大且小于也很快、运放由于带宽及SR的限制，响应延时。所以就不稳定了。所以最后是把它短路了。但是如上所说压降大的时候，输出也是会振荡。因为不理解源极直接并联带来的影响，所以一直疑惑中。
截图是一个方案。这个测试结果也是稳定的。区别在于。不同的MOS回路。采样电阻分开采样，加起来后输入负反馈。MOS也是分开驱动。这个也可以稳定。都是采样回路一多。成本增加。也好想很累赘。这个也对电流分布测试过。两路几乎没有偏差。