本帖最后由 摩天轮1111 于 2016-2-10 18:22 编辑
看到很多朋友到处发帖问这个TLE5012b的角度读取例程，其实不怎么难的东西，关键还是要你自己详细读取手册才行，这里我就放出个差不多的代码吧，帮助那些已经攻占了很久的朋友，如果你攻占了很久，一看我代码你就一目了然，如果你没有研究，那抱歉你可能看不懂，请继续回去查看手册，我这个是自己用的代码，工作读数很正常。
1.首先介绍一下TLE5012b，这个是英飞凌的一个磁传感器，很跨时代的一个产品，综合性能都很高，15位解析度，20khz刷新率，典型8mhz的spi时钟，我用了9mhz也正常，呵呵，因为stm32的硬件spi 72M分频，只能8,16，等等，没法凑到8MHZ,只能凑到9mhz，也无可厚非啊，反正tle没说不能9MHZ,我就试了9mhz，可以的
2.关于硬件的接线，因为tle是3线制的spi，也就是data是一根线，仔细看手册你会发现，手册上说了，tle收mcu指令的时候，data是高阻态，tle发数据时候是推挽模式，那么硬件怎么用呢，把stm32的mosi和miso连接在一起，因为miso是配置成为复用浮空输入的（ps如果你在操作spi的时候miso配置的是复用推挽，说这里spi应该配置成复用推挽，我只能说，你学习不用脑子，把stm32的spi的miso配置成为复用推挽是错误的，正确应该配置成为浮空输入，之所以错误的也能用spi正常工作，请仔细看stm32的手册，查找为什么配置错误了也能工作，确实是能工作的，原因手册上面看明白就知道为什么了）miso是浮空输入，这个可以不用管了，管mosi，这个是首先要发数据的，然后发完指令之后，要发空指令，目的是为了让硬件sck工作，使得tle能发出来数据，如果你用开漏的模式，也就是mosi配置成为开漏的话，你不需要把tle配置成为开漏，硬件连接如下图
，
只要你先是操作mcu的mosi发指令，tle会收到，然后操作mcu的mosi发送FFFF，切记全是F，是16位的，开漏模式发F等于将mcu的mosi释放对总线的控制，这时候tle控制mosi总线，也就是data总线，那么miso就能收到了，一切就都正常工作了
3.如果你想要速度更快一点，那就要把mcu的mosi配置成为推挽输出，依然可以用上面的电路，也可以把这个上拉电阻去了，不去等于驱动能力更强一点，原理是，首先配置成为推挽，发指令的时候，tle的data是高阻抗，没有关系，tle收到指令，然后注意这里，操作gpio的寄存器，给mosi配置成为复用开漏输出，这步完成之后，发送0xFFFF，tle接管data总线，它变成推挽输出，而这时候的mcu的mosi是开漏，等于释放了总线，miso就能收到tle发来的数据了。
4.好了，基本操作都说的很清楚了，我知道有些朋友可能喜欢代码，其实我个人更喜欢思路，不喜欢看别人代码，尤其别人写代码，注释太少，思路不明了，看起来麻烦，这里我放出示例代码，和注释，思路还是比较清楚的，仅供参考，欢迎有兴趣的朋友一起交流（实例代码取消了，因为一些不愉快的事，这里有问题，论坛回帖讨论，基本思路上面给的很清楚了）
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正在找，遇到你了，THANKS
