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[技术问答]

NUC100RD1AN和NUC100RD1BN区别

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楼主
跟屁虫|  楼主 | 2015-12-10 20:47 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
  
项目
  
NUC100RD1AN
NUC100RD1BN
Flash 控制器
l   增加低速操作位LFOM (FATCON[4],@0x5000C018),软件对该位写 1使能访问FLASH代码时0等待状态。
系统管理
l   无时钟稳定检测机制
  
l   内部 22.1184 MHz 振荡时钟选择寄存器: HCLK_S=1xx
l   增加时钟状态寄存器(CLKSTATUS @
  
0x5000020C),切换系统时钟源前,软件必须检测新的时钟是稳定可靠的, 否则,时钟不能正确切换。
  
l   需要用内部 22.1184 MHz 振荡器时,时钟选择寄存器:HCLK_S=111。
GPIO
l   最少的GPIO 翻转周期为 7 个系统时钟周期
l   最少的GPIO 翻转周期从7个系统时钟周期减少到 4 个系统时钟周期。
  
l   增加位操作控制,所有管脚都可以独立地进行读写操作。
定时器
l   在CPU 读 TDR时,仅仅能读到 even 值,TDR 不能真实反映计数器的正确的值。
  
l   TDR的值为真实的计数值减3。
l   修正6个计数器的值。
  
软件对寄存器CTB (TCSRx[24] @ 0x40010000,0x40010020,0x4011000,0x40110020)写1使能计数模式,由定时器时钟来采集外部事件。
  
l   增加计数模式使能位, TDR 的值就是采集到的外部事件数值。
  
l   在 T0/1/2/3管脚增加时钟输出模式。通过软件写“10”到寄存器TCSRx[28:27] 的MODE位来使能。
UART
l   不支持 RS485 模式
l   增加 RS485模式。
ADC
l   增加差分模式时的 有符号/无符号采集,软件写DMOF=1 (ADCR[31]) 时使能这个特性。 ADC的转换结果在ADDRx存储器中扩展到 16 比特。
PWM
l   PWM 的寄存器CCR0/CCR2  (@0x40040050,0x40140050,0x40040054,0x40140054)  的标志位6,7,22 和 23  (CRLRI0,CFLRI0,CRLRI1  和 CFLRI1) 写0时清除。
l  软件写 CBn (PBCR[0] @0x4004003C,0x4014003C)为1时, CCR0/CCR2的6,7,22  和 23 (CRLRI0, CFLRI0,CRLRI1和 CFLRI1)位写1时清除。保持 CBn =0, 这些位要写 0 时清除。
I2S
l   I2S  模块时钟源选择位I2S_S(CLKSEL2[1:0]) 的默认值为“11”。
高性能模式
l   寄存器[url=]CPR (@0x50000010)的第0位 HPE 用于使能FLASH连续代码地址访问,内置SRAM访问和GPIO 脚的番速度会改进。[/url]
[url=]
l   HPE=0,FLASH控制,SRAM读访问和GPIO 脚的翻转性能 完全兼容于NUC100RD1AN。
  
l   HPE=1,CPU 性能增加接近 10%  和GPIO翻转周期从7 个 HCLK减少到4 个HCLK的时钟周期。
[/url]



沙发
huangcunxiake| | 2015-12-10 20:50 | 只看该作者
一款MCU,只要有足够的IO,和需要的外设,均可以完成相应的工作,这些同一个系列的略微差异,只是给不同工作环境选择使用的。

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板凳
Micachl| | 2015-12-13 21:02 | 只看该作者
那这两款芯片主要应用于什么环境呢

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