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[技术讨论]

高手挑战:!!能不能自己用分立件做一个【零压降】模拟开关

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楼主: 音乐乐乐
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音乐乐乐|  楼主 | 2007-2-1 13:43 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览

看样子这东西搞不定?

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davidli88| | 2007-2-1 13:57 | 只看该作者

晕倒,还没看清楚?

两个MOSFET的源极接在一起,通过1M~10M电阻落地,为MOSFET提供栅压。
两个MOSFET的漏级,分别任意作为输入输出。

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davidli88| | 2007-2-1 13:58 | 只看该作者

共只需3个元件

两个MOSFET,一个电阻。
那两个二极管,是MOSFET的体二极管。

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音乐乐乐|  楼主 | 2007-2-1 19:52 | 只看该作者

呵呵,导通时候需要依靠一个二极管吧?

 那就是说小于0.7V的电压通不过?这样应该说只能叫数字开关了,呵呵

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awey| | 2007-2-1 20:04 | 只看该作者

哪来的0.7V电压?

MOSFET导通电阻很小,只有毫欧级的。

另:楼主的标题“零压降”开关 的提法是错误的,压降与流过的电流有关,
要零压降,这世上可能不存在,就是超导体都做不到。

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音乐乐乐|  楼主 | 2007-2-1 22:36 | 只看该作者

25楼,我说的零压降不是有引号嘛

 就是说只要电流足够小,压降就可以很小,也就是说可以通过mv级别的小信号。
 至于0.7V应该是那个mosfet的那个二极管吧?我的理解是:当导通时候一个mosfet导通,另一个mosfet关闭,同时关闭的mosfet的二极管导通,信号经过的路径应该是一个mosfet和一个二极管的串连,mosfet的电阻当然很小,但是这过程串连了一个二极管,小信号当然过不去了。 不知道这个理解对不对?

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awey| | 2007-2-1 22:59 | 只看该作者

楼上理解错了

当cont为高时,是两个MOS管都导通,不是你说的一个导通,
了解一下MOSFET的结构就明白了,这种电路在锂电池保护电
路里大量的应用,你可以拆个废电池看看。

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音乐乐乐|  楼主 | 2007-2-2 11:08 | 只看该作者

哦,不好意思是我没看清楚,

只要通过的电压比控制电压低一个值就可以导通吧,高招,嘿嘿!

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音乐乐乐|  楼主 | 2007-2-2 11:10 | 只看该作者

用JFET行不行?

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