在模拟技术发了个贴,被人说跑题了,所以在这边重新写一个,抛块砖看看先。希望能引一片大虾争论一番。
扇出是一个比较老的概念,在TTL电路中,因TTL电路为电流驱动型的器件,所以考查的主要是电流的驱动能力(即静态特性->直流驱动能力->输入阻抗)。以下主要讨论COMS电路的扇出。
我们考虑扇出的时候通常是在一定的工作环境下进行讨论的,在数字电路中通常是指工作频率。
负载除了吸入电流外还包括负载电容(线中电容暂不讨论),COMS器件是电压控制的,它通常只需要极小的电路就可以工作,而带载**要取决于负载电容(即电路的动态特性—>电平切换速度—>频率)。
当我们的扇出较多时,相当于并联了N个电容,电容值的增加,使门电路充放电的时间延长,从而器件的频率出现了瓶颈,在低速度电路中,我们基本上是不需要对CMOS的器件的扇出做太多的考虑,在高速电路中,我们必须要面对这个问题了,甚至在一些电路中,为保证工作的稳定性,扇出必须要求为1.
不过一般器件手册都给出了Output Short-Circuit Current,可以以此计算出接VCC端器件的导通内阻,再通过器件手册计算出输出各负载电容的总和,就得出上升沿阶段的时间常数。同样接地器件的内阻也可以计算出来。这两个参数加上其它时序要求的时间常数等大概可以计算出扇出能力了(我通常是这样计算的,如果有人有更好的方法或认为我的方法有问题敬请拍砖)。 |