请教开关电源振荡之后，输出的整流二极管

只看该作者 · 2009-9-10 18:45

升压电路如下交流电容是0.3uf

线圈是锰锌环3.8mm的那种初级0.8mm的漆包线16股并联绕4匝次级0.8mm的线65匝 N-MOS是75N75 3个并联 PWM脉冲时间是开通是1.25微秒关闭是0.5微秒现在75N75 都是很热的，放不下手

2万 · 2009-9-10 18:55

首先,你的驱动电路损耗比较大,虽然下拉100R已经基本满足MOS的关断要求, 但如果是三个管子并联的话, 脉冲下降沿就比较缓了,这里要加图腾柱驱动;
其次,如果你的负载经过整流而且有电容储能,则属于恒压消磁,可认为励磁磁通复位时间与开关导通时间相等. 只要占空比要小于0.5就OK. 你连这种情况都不满足. 何况, 你负载是阻性的,也就是说消磁阻抗很小, 大大延和了消磁的时间. 如果这样玩的话,俺觉得你占空比不能超过0.15( 以激磁电流0.1倍计算) ,不

2万 · 2009-9-10 18:59

然, 磁芯一直处于饱合态, MOS发热没法解决.( 不小心按了一下ENTER就发出去了,晕.)

解决方案: 输出桥式整流, 加储能电容, 提高消磁电压,加快消磁过程, 同时占空比下调到0.45

1个75n75就搞定了, 俺做48V输入,确良4000W的全桥, 共用了16颗75N75

只看该作者 · 2009-9-10 19:29

谢谢楼上的解答明白一部分拉
我已经把哪个下拉电阻改变为47欧姆了

只看该作者 · 2009-9-10 19:35

补充说明哪个负载灯泡是220伏特40瓦特的
略略知道楼上的意思，楼上的意思就是在线圈的输出那里接个全桥整流，然后再接电容，
让消磁时间减少
对不？？

只看该作者 · 2009-9-10 19:49

我这个PWM是使用单片机来产生的，调整占空比还是很容易的，刚才我把关闭的时间延长，灯泡比原来（没有延长关闭时间）之前亮了很多，从原理上讲，延长关闭时间，那么获取能量的时间就变短了，但是灯泡反而变亮了，奇怪的拉，看来PowerAnts的方法还是很有效的

3万 · 2009-9-10 21:15

楼主los还是没有认识到PowerAnts所说的改进方法。
PowerAnts告诉你，改用图腾柱驱动，一片功率MOS就够。你偏要减少那个100欧下拉电阻。我只问你：功率MOS贵还是小功率BJT贵？

只看该作者 · 2009-9-11 07:53

是啊，用多股线绕起来容易太多了，而且趋肤效应影响也小
xwj 发表于 2009-9-7 14:12

容易啊?我觉得一点不容易呢,我的还是4根并绕.像蚂蚁那样60根并绕的,怎么搞?搞60个线轴,再搞绞盘?

只看该作者 · 2009-9-11 08:33

回答maychang
PowerAnts推荐我使用图腾柱驱动,图腾柱我的理解就是上管是npn三极管，下管是个pnp三极管,因为我的电路板已经做好了，硬件上难改动，所以只能改这个电阻。我的理解是在这样的，75N75的有个结电容跟100欧姆的电阻并联,把这个电阻从100欧姆改变为47欧姆，就是减少RC常数，让放电时间更短，从而让脉冲下降沿更陡峭。我使用3个75N75并联起来，是想让多个MOS分担20安培的电流，每个MOS承担的电流就少，发热也减少.

2万 · 2009-9-11 08:54

光改驱动没用的。

LZ先把单端改成推挽再说。

2万 · 2009-9-11 09:29

推个灯泡, 单端足矣! 这年头别折腾什么推挽, 那是半导体昂贵的年代玩的, 考虑到绕组的不平衡,为了避免直流偏磁发生磁饱合, 推挽的磁密要用得比较小, 而且相同的一付磁芯, 铜损要比全桥大0.5倍, 得不偿失. 楼主38mm的磁环,励磁电流饱合点为8安匝,考滤到偏磁的积累效应,如果死区不足, 炸管没商量
如果实在想玩推挽,千万别用高导磁环, 除非能够确保绕组的对称性. 比较推荐EI或EE磁芯,垫张薄纸片, 就能将饱合点提高几倍,

2万 · 2009-9-11 09:45

re: donkey89
首先, 要保留安全间距的情况下, 精确计算每一层的匝数和长度, 裁好线, 区区几匝, 还用什么线梭绞盘呢?
大大小小的线梭,俺到是自制了很多个, 长宽40*3~120*30mm

3万 · 2009-9-11 10:58

回32楼：
你的目标正确但方向错误。
100欧姆改47欧姆，时间常数减小到一半，驱动改成图腾柱，时间至少减小一个数量级。发热量减少到什么程度，自己估计一下。
不改电路板是不可能的事。你的电路毛病太多了。
首帖你认为多两个二极管太占电路板面积，现在多用两个功率开关管你不嫌面积大？23楼图，0.3uF电容干什么用？不嫌占面积？