有讨论才好，共同进步。
24楼的图可以工作，电源电压假定24V，MOS管G极电位(对地)在12V高一些到24V低一些(大概有23V)之间变化，这对驱动MOS管来说够了。考虑到电源电压变化，MOS管Vgs最大时也有6V，够用。
gaohq在29楼和30楼所说的情况存在，MOS管G极电位(对地)确实不能低到0。在31楼，楼主已经说明，这正是加D1的目的，不让MOS管G极电位降到0，否则管子可能损坏。
实际上，MOS管Vgs在datasheet中标明最大20V，但实际测量均在30V以上才击穿。厂家是留有余量的。所以这个电路中D1的稳压值可以小一些，例如取6－8V。
既然在这里已经采取了限制MOS管Vgs的措施，那么D2可以省去。
回到图中。该电路设计时的考虑显然是用Q3Q4这样的图腾柱形式(两个互补的射极输出)来加大驱动能力，这完全正确。该图的缺点是用元件太多。共增加了两支三极管和一支稳压管。楼主的PWM好像是由单片机产生的，那么要单片机输出的PWM反相只需要修改软件。这样Q1可以省去但保持PWM相位正确。至于怕单片机输出电平不能驱动Q2，只需要将D1串联在Q2集电极与R3R4之间即可。
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