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对于做硬件的来说应该很重要

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楼主
y624567912|  楼主 | 2009-10-5 10:30 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
初入江湖| | 2009-10-6 09:51 | 只看该作者
学习下

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板凳
y624567912|  楼主 | 2009-10-6 10:31 | 只看该作者
谢谢了……

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地板
cywan2007| | 2009-10-6 22:43 | 只看该作者
加在IC正电源和地之间,104差不多大就都可以

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xiaotao_82| | 2009-10-11 23:45 | 只看该作者
HOHO,不好说。同一个地方0.01uF和470uF的可能有差异,330uF和470uF有多大差异?不见得吧?

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gzs8317| | 2009-10-15 21:30 | 只看该作者
“最简单的做法是在电源入口加电解电容...100~1000U”
电解电容再大点好不好啊,我9V转5V用了个2200uF的电解电容,呵呵

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adofe| | 2009-10-22 12:59 | 只看该作者
104电容加IC的+,-极之间,最好距离IC近点

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8
mankaichuang| | 2009-11-5 15:49 | 只看该作者
104并联在IC的VCC端,接地,离IC越近越好

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9
mankaichuang| | 2009-11-5 15:52 | 只看该作者
另外只要是DC转换的地方都需要加电容,加一大电容一小电容,大电容通低频,小电容通高频

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10
infinen| | 2009-11-17 15:43 | 只看该作者
加电容是一件很困惑的事 , 要看前面电源的特性, 电容加不好会影响前面的电源的响应,影响他们的匹配补偿电路特性,有的电源厂为你提供电源时,甚至会问你后面加多大的电容。

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11
aiwenzx| | 2009-11-19 08:50 | 只看该作者
最简单的做法是在电源入口加电解电容...100~1000U
每个IC下面加去耦电容..104..
其他的算另类加法
王奉瑾 发表于 2009-10-5 12:59


这个入口处的是不是太大啦?

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12
lwh2003| | 2009-11-20 16:22 | 只看该作者
:lol

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lwh2003| | 2009-11-22 08:45 | 只看该作者
好啊!学习

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boy_1215| | 2009-11-22 08:47 | 只看该作者
谢谢赐教啊

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15
jepsun| | 2009-11-22 21:37 | 只看该作者
等下;电解电容的容量并不是越大越好!这个是肯定的,我试过!
、另外请教:在电源的出口弄个电解的个陶瓷的相互并联来滤波,这样的结构是不是会好一些??

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chuaji| | 2009-12-5 23:25 | 只看该作者
这些都是经验方法,一般不同的芯片因为功耗的不同需要用不同的电容,可以参考IC的DATASHEET。

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17
zoupeng139| | 2009-12-10 16:24 | 只看该作者
其实好像很少有人说的明白,这算不算中国做东西浮躁,基础薄弱的一种表现?
我一直也是很迷惑中,好多时候就是以“习惯用法”这样的说辞糊弄过去了……
不知有没有大侠能详细解说一下呢?呵呵

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18
交流进步| | 2009-12-10 17:15 | 只看该作者
我觉得这个要计算,功率计,电流计等都要上,得出个频谱特性,再看加多大的电容。
靠感觉,不靠谱!

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19
lfc315| | 2009-12-12 16:29 | 只看该作者
高频纹波滤除 低频纹波滤除 短时间电压跌落的储能 级间去耦
可以大约估计取值 也可以实际计算取值;
只要在合适的地方留了元件位置,大可以调试时再优化取值;
加大容量的要考虑前级电源的带载能力,别一通电“啵”的爆炸了;

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08128018jiang| | 2009-12-13 22:19 | 只看该作者
学习···

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