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[运放]

请教:端口电路中,运放的输入信号先于芯片的电源电压

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yanshs|  楼主 | 2016-2-20 18:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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xyz549040622| | 2016-2-21 19:08 | 只看该作者
这个还真是个问题,感觉是不会的,但没考虑过这个问题。@maychang

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sjnh| | 2016-2-21 19:16 | 只看该作者
一般不会,
注意:例如有些端口有对电源和地的保护二极管,如果芯片没有上电,引脚加上高电平,相当于电源(引脚外接驱动)经过引脚的保护二极管给芯片供电;
如果你芯片电源耗电大,输入引脚的驱动强,且电源上电慢很多,烧不烧这个二极管就很难说了;

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yhn1973| | 2016-2-21 19:25 | 只看该作者
看什么运放了,LM358、LM324都没问题

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maychang| | 2016-2-21 19:53 | 只看该作者
xyz549040622 发表于 2016-2-21 19:08
这个还真是个问题,感觉是不会的,但没考虑过这个问题。@maychang

上电时间相差很短(例如5ms)芯片是不会损坏的,但若输入信号先于芯片很多(例如一分钟)则很难说,与信号源内阻、芯片类型等等均有关。

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yanwen217| | 2016-2-21 22:16 | 只看该作者
本帖最后由 yanwen217 于 2016-2-21 22:21 编辑

运放的输入回路,包括内部的ESD保护回路,能承受的电流也就是几十mA,所以通常应用下都是限定最大输入回路电流小于10mA,这样就不会在输入信号先于电源下烧坏运放。具体来说,就是在输入端,根据信号电压配置合适的电阻,保证对地通路或者对VCC通路的电流小于10mA。
这个跟哪个品牌的运放无关,跟运放型号也无关,至于说时间差长短,manchang版主,根据当年我做IC测试的结果看,上百mA电流下连1mS都撑不住,IC品质分析中常常说EOS损伤,实际的时间作用范围很宽,如下:
在输入信号先于电源下,就看施加到运放的功率大小了,uS级下可能会造成ESD损伤,但ESD损伤下芯片不一定烧,也就是可能功能还是好的,只是参数有些变化。但在过电压过电流出现持续uS~mS之间时,芯片基本就挂了,通常晶片表面就可以看到灼烧的痕迹了。

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