本帖最后由 yanwen217 于 2016-2-21 22:21 编辑
运放的输入回路，包括内部的ESD保护回路，能承受的电流也就是几十mA，所以通常应用下都是限定最大输入回路电流小于10mA，这样就不会在输入信号先于电源下烧坏运放。具体来说，就是在输入端，根据信号电压配置合适的电阻，保证对地通路或者对VCC通路的电流小于10mA。
这个跟哪个品牌的运放无关，跟运放型号也无关，至于说时间差长短，manchang版主，根据当年我做IC测试的结果看，上百mA电流下连1mS都撑不住，IC品质分析中常常说EOS损伤，实际的时间作用范围很宽，如下：
在输入信号先于电源下，就看施加到运放的功率大小了，uS级下可能会造成ESD损伤，但ESD损伤下芯片不一定烧，也就是可能功能还是好的，只是参数有些变化。但在过电压过电流出现持续uS~mS之间时，芯片基本就挂了，通常晶片表面就可以看到灼烧的痕迹了。
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