SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积,在主板上哪些是SRAM呢?
一种是置于CPU与主存间的高速缓存,它有两种规格:一种是固定在主板上的高速缓存(Cache Memory );另一种是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)扩充用的高速缓存,另外在CMOS芯片1468l8的电路里,它的内部也有较小容量的128字节SRAM,存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送,自80486CPU起,在CPU的内部也设计有高速缓存,故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache(一级高速缓存)和L2Cache(二级高速缓存)的名词,一般L1 Cache是内建在CPU的内部,L2 Cache是设计在CPU的外部,但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部,故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快,不需要刷新的*作,但是也有另外的缺点,就是价格高,体积大,所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下:
◎优点,速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。
◎缺点,集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。
◎SRAM使用的系统:
○CPU与主存之间的高速缓存。
○CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。
○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
○CMOS 146818芯片(RT&CMOS SRAM)。
SRAM(静态随机存取存储器)是一种只要在供电条件下便能够存储数据的存储器件,而且是大多数高性能系统的一个关键部分。SRAM具有众多的架构,各针对一种特定的应用。本文旨在对目前市面上现有的SRAM做全面评述,并简要说明就某些特定用途而言,哪类SRAM是其最佳选择。 SRAM从高层次上可以划分为两个大类:即同步型和异步型。同步型SRAM采用一个输入时钟来启动至存储器的所有事务处理(读、写、取消选定等)。而异步型SRAM则并不具备时钟输入,且必须监视输入以获取来自控制器的命令。一旦识别出某条命令,这些器件将立即加以执行。
与某一特定应用相适应的最佳SRAM的选择取决于多个因素,其中包括功率限制、带宽要求、密度以及读/写操作模式等。可满足不同系统要求的同步型和异步型SRAM多种多样,本文将逐一加以说明。
各种同步型SRAM比较
同步型SRAM于上个世纪80年代后期首度面市,最初是面向具有极高性能的工作站和服务器中的第二级(L2)高速缓冲存储器应用。进入上个世纪90年代中期之后,它又在较为主流的应用(包括个人电脑中的第二级高速缓冲存储器)中寻觅到了自己的用武之地。自那以后,在包括高性能网络在内的众多应用的设计中,同步型SRAM大行其道(在这些应用中,它们通常被用于数据缓冲器、高速暂存器、队列管理功能和统计缓冲器)。
同步型SRAM又可以采用多种不同的架构。下文将对某些“主流”的器件做简要说明。
1:标准同步型SRAM
标准同步型SRAM是被“主流应用”所接纳的第一种同步型SRAM。这些器件虽然主要面向PC L2高速缓冲存储器应用,但也渗透到了非PC应用领域中,比如网络、电信、数字信号处理(DSP)以及医疗和测试设备。其中,标准同步型SRAM具有两种基本格式:流水线型和直通型。两者之间的差异是:直通型SRAM仅在输入端上具有寄存器,当地址和控制输入被捕获且一个读存取操作被启动时,数据将被允许“直接流”至输出端。当用户对初始延迟的重要性考虑超过对持续带宽的考究时,人们往往优先采用直通型架构。“流水线型”同步SRAM同时拥有一个输入寄存器和一个输出寄存器。流水线型SRAM所提供的工作频率和带宽通常高于直通型SRAM。因此,在需求较高宽带,而对初始延迟不是很敏感时,人们常常优先采用流水线型SRAM。
2:NoBLTM(无总线延迟)型SRAM
有些应用不允许“等待状态”。比如网络应用中“等待状态”有可能对性能产生严重的影响。为解决该问题,赛普拉斯公司推出了无总线延迟(NoBL)型SRAM。NoBL型SRAM与标准同步型SRAM很相似,但是拥有附加的片上逻辑电路,旨在完全消除标准同步型SRAM系列所需的“等待状态”。通过消除这些“等待状态”,此类SRAM能够实现100%的总线利用率(丝毫不受读/写模式的影响)。该功能极大地改善了存储器性能,尤其是当存在频繁的读/写操作变换时。
NoBL型SRAM也存在两种版本:直通型和流水线型。直通型NoBL SRAM始终具有一个单周期偏移,而NoBL流水线型SRAM则保持了一个双周期偏移。
3:四倍数据速率(QDRTM)型SRAM
尽管推出了NoBL型架构并使性能较之标准同步型SRAM有所改善,但某些系统对性能有着更高的要求。于是,赛普拉斯、Renesas、IDT、NEC和三星等几家公司联合开发出了QDR型SRAM。QDR架构旨在满足那些要求低延迟且所需带宽明显高于NoBL型架构提供能力的“高带宽需求型”系统的需要。QDR型SRAM与NoBL型SRAM最为显著的差异之一是前者的读端口和写端口是分开的。这些端口可独立工作,并支持并行的读和写事务处理。QDR型SRAM能够以DDR传输速率(2倍)来支持两项同时出现的事务处理,四倍数据速率(QDR)的名称便是由此得来的。
QDR型SRAM具有两种基本类型:即2字脉冲串和4字脉冲串。..
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