开关电源设计：何时选择BJT优于MOSFET？

1万 · 2016-4-8 21:38

.相比于BJT,更少被二次击穿而失效.常用于高压（600V)应用领域.以及低端大功率（2000W)设备,如电磁炉、逆变器等.

2万 · 2016-4-8 21:38

BJT是最老的开关器件,目前由于国内仍有一批尚未淘汰的BJT生产线没有停产,仍然活跃于低端市场.

1万 · 2016-4-8 21:39

低压大电流领域是MOSFET的强项.

2万 · 2016-4-8 21:39

BJT有两种驱动方式,一种是基极开关,一种是射极开关.射极开关的效率和开关速度都优于基极开关,是BJT应用的潮流.

2万 · 2016-4-8 21:39

MOSFET是稳定性最好的器件,不容易损坏.

1万 · 2016-4-8 21:39

IGBT开关速度较快,没有存储时间,但存在拖尾电流.拖尾电流,

2万 · 2016-4-8 21:40

MOSFET的主要损耗是输出电容放电损耗,因此需要实现零电压开通,即开通前一瞬间DS电压为0.

2万 · 2016-4-8 21:41

BJT是电流驱动器件，必须要有一定的输入电流才能工作，其输入电阻很小

1万 · 2016-4-8 21:41

MOSFET的输入电阻几乎为∞，是一个电容，则它具有的一个重要优点就是0输入电流。

2万 · 2016-4-8 21:41

MOSFET输入电压（VGS）的一致性较差，这就使得在作为运算放大器的输入差动放大级应用时，与BJT相比，将会产生较大的失调电压。

1万 · 2016-4-8 21:42

BJT的输出电压（VCE）较低，不管是作为高速应用、还是作为高增益应用，一般其最小输出电压都约为(kT/q)值的数倍，

2万 · 2016-4-8 21:42

BJT的主要损耗和IGBT相仿,主要在关断时有电流--电压交叉损耗,因此也应实行零电流关断.

1万 · 2016-4-8 21:42

当MOSFET在高增益应用时，为了提高饱和状态的电压增益，就需要选择较小的(VGS-VT)值，则这时的饱和电压VDsat也很小。

1万 · 2016-4-8 21:42

因为BJT的跨导很大，所以其热噪声就相对较低

2万 · 2016-4-8 21:44

MOSFET因其沟道长度的不断缩短而呈现出优势，现在的纳米MOSFET可以实现超高速应用。

2万 · 2016-4-8 21:44

对共发射极组态的BJT，输入电流IB与电流放大系数有关：放大性能越好，所需要的输入电流就越小。

1万 · 2016-4-8 21:44

BJT原则上是一种非表面器件，所以它的1/f噪声也较小

1万 · 2016-4-8 21:44

推荐IGBT元器件了

1万 · 2016-4-8 21:48

IGBT具有电导调制能力，相对于功率MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。

2万 · 2016-4-8 21:53

晶体管的转导或是电流的驱动力上,MOSFET不如BJT来得适合